Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

#Questão 426129 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Vácuo é essencial em muitas etapas da fabricação de um circuito integrado. Com relação às tecnologias de vácuo empregadas nos diversos processos de microfabricação NÃO é correto afirmar que

A) a redução de pressão procura garantir transporte de massa sem espalhamento na deposição de filmes finos por evaporação térmica.

B) nos processos a plasma a pureza química desse depende do pré-vácuo efetuado na câmara de processo.

C) a composição do gás residual em um sistema de vácuo depende do tipo de bombas utilizadas.

D) bombas iônicas são muito eficientes ao bombear gases inertes.

E) bombas difusoras a óleo e bombas turbo-moleculares se baseiam no mesmo princípio para reduzir a pressão em uma câmara.

#Questão 426131 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A corrosão por plasma é um dos processos subtrativos utilizados em microfabricação. Aponte, dentre as alternativas abaixo, a que NÃO é correta.

A) A corrosão por plasma permite que espaços sub-micrométricos possam ser atacados, os quais não seriam atingidos por via úmida devido à tensão superficial das soluções de ataque.

B) A corrosão por plasma permite um melhor controle do processo que a corrosão úmida, pois pode ser iniciada e encerrada com mais facilidade.

C) A pulverização catódica (sputtering) é um mecanismo físico de erosão sempre presente na corrosão por plasma, independente da pressão e dos tipos de gases presentes no plasma.

D) A corrosão por plasma de íons reativos (RIE) é altamente seletiva e anisotrópica.

E) Defeitos são criados na superfície do substrato para energias dos íons do plasma tão baixas quanto 4 eV.

#Questão 426133 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A) Apenas a ligação Si-F é maior que a ligação Si-O, portanto apenas SF6, dentre os gases disponíveis, corroerá silício.

B) SF6 é gás mais adequado para a corrosão de alumínio.

C) A corrosão de alumínio por Cl2 não ocorre pois o produto da reação não se volatiliza no processo.

D) O óxido nativo do alumínio não permite que HBr seja usado como gás corrosivo para esse metal.

E) Cl2 é usado em RIE de silício, pois o óxido é removido pelo bombardeio dos íons, e o produto da reação é volátil.

#Questão 426135 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Em um sistema de deposição de filmes, alumínio é depositado sobre silício por evaporação térmica. Os substratos são colocados em um suporte hemisférico de 20 cm de raio, em cujo centro se localiza um aquecedor de tungstênio do tipo “boat”, no qual uma gota de alumínio de 0,1 g foi colocada. A pressão de base do sistema é de 1 x 10-4 Pa. Qual a espessura do filme depositado, ao se extinguir a carga após 10 minutos? Al tem massa molar de 26,9815 g/mol, e densidade de 2,70 g.cm^-3 @ 300K.

A) 37 nm

B) 74 nm

C) 147 nm

D) 294 nm

E) Nenhuma das anteriores.

#Questão 426136 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

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