Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

#Questão 426155 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 426157 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A junção Schottky metal-semicondutor e a junção p-n apresentam características I-V similares, no entanto são dispositivos fundamentalmente diversos. Quanto à comparação entre esses dois sistemas pode-se afirmar, EXCETO:

A) A corrente na barreira Schottky é essencialmente de portadores majoritários.

B) A corrente na junção p-n é devida a portadores minoritários.

C) Os diodos de contato Schottky suportam uma corrente maior que os diodos p-n.

D) A corrente de saturação dos diodos Schottky é muito maior que no diodo p-n.

E) Diodos Schottky respondem melhor em altas freqüências que os diodos p-n, pois nesses últimos os minoritários demandam mais tempo para esvaziar a região da barreira.

#Questão 426159 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

As afirmativas abaixo são verdadeiras, EXCETO:

A) Em MOSFETs a presença de íons de sódio no óxido compromete o desempenho do dispositivo, devido a sua alta mobilidade iônica.

B) A camada de óxido de porta de MOSFETs é preferencialmente fabricada por oxidação em vapor de água.

C) A taxa de crescimento do óxido de silício em oxidação úmida é muito mais alta que a oxidação seca.

D) Altas taxas de crescimento de óxido resultam em maior número de estados localizados na interface Si-SiO₂.

E) A presença de cloro na atmosfera oxidante reduz a incorporação de sódio no óxido.

#Questão 426160 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Aponte dentre as afirmativas abaixo, aquela que NÃO é correta.

A) Do ponto de vista do wafer, a sequência de passos no processo de fotolitografia é: aplicação do filme fotossensível, alinhamento da máscara com o wafer, exposição do fotoresiste, revelação do padrão.

B) O efeito da difração da luz usada para exposição com o padrão da máscara limita a resolução das estruturas.

C) No resiste positivo as partes não expostas são dissolvidas na revelação.

D) O ambiente da sala de fotolitografia é iluminado em um comprimento de onda que não interfere com o material fotossensível.

E) O fotoresiste é exposto a luz ultravioleta para ser sensibilizado (usualmente as linhas g, h ou i de lâmpadas de mercúrio).

#Questão 426162 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

As afirmativas abaixo se referem à problemática de produção industrial eficiente de circuitos integrados. Dentre elas aponte a que NÃO é correta.

A) Uma maneira de aumentar o número de circuitos integrados fabricados é aumentar o diâmetro do wafer.

B) Conhecer do rendimento de produção para cada etapa do processo de fabricação dos ICs é necessário.

C) O rendimento global na produção de ICs é igual ao produto das eficiências de todas as etapas do processamento.

D) Migrar para wafers maiores é a estratégia a ser seguida por todas as indústrias de microeletrônica.

E) Controle de partículas é especialmente importante em microeletrônica devido ao tamanho dos objetos fabricados.

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