As afirmativas abaixo são verdadeiras, EXCETO:...

A Em MOSFETs a presença de íons de sódio no óxido compromete o desempenho do dispositivo, devido a sua alta mobilidade iônica. B A camada de óxido de porta de MOSFETs é preferencialmente fabricada por oxidação em vapor de água. C A taxa de crescimento do óxido de silício em oxidação úmida é muito mais alta que a oxidação seca. D Altas taxas de crescimento de óxido resultam em maior número de estados localizados na interface Si-SiO₂. E A presença de cloro na atmosfera oxidante reduz a incorporação de sódio no óxido.