Questões de Concurso de Engenharia Física - Estude Grátis

1 Q98547

Engenharia Física

Ano: 2014

Banca: Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Julgue os itens a seguir, relativos a materiais magnéticos e a fenômenos envolvidos em processos e magnetização. Materiais diamagnéticos retirados de um campo magnético são capazes de ser magnetizados fortemente e de reter considerável grau de magnetização.

2 Q568676

Engenharia Física

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Imagens de microscopia eletrônica de varredura são muito usadas na inspeção de circuitos integrados. Nesse contexto são verdadeiras as seguintes afirmativas, EXCETO:

A O contraste entre as estruturas de composição química diferente pode ser evidenciado com o uso de imagem de elétrons retroespalhados. B Nas energias típicas do feixe (10-30keV) as camadas dielétricas do circuito se tornam praticamente transparentes e o efeito de carregamento é desprezível. C Topografia pode ser evidenciada inclinando-se a amostra em relação ao feixe. D Raios-x característicos são gerados no volume de interação do feixe, e permitem uma análise química com sua detecção. E Circuitos integrados podem ser danificados pelo feixe de elétrons do microscópio.

3 Q426162

Engenharia Física

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

As afirmativas abaixo se referem à problemática de produção industrial eficiente de circuitos integrados. Dentre elas aponte a que NÃO é correta.

A Uma maneira de aumentar o número de circuitos integrados fabricados é aumentar o diâmetro do wafer. B Conhecer do rendimento de produção para cada etapa do processo de fabricação dos ICs é necessário. C O rendimento global na produção de ICs é igual ao produto das eficiências de todas as etapas do processamento. D Migrar para wafers maiores é a estratégia a ser seguida por todas as indústrias de microeletrônica. E Controle de partículas é especialmente importante em microeletrônica devido ao tamanho dos objetos fabricados.

4 Q426160

Engenharia Física

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Aponte dentre as afirmativas abaixo, aquela que NÃO é correta.

A Do ponto de vista do wafer, a sequência de passos no processo de fotolitografia é: aplicação do filme fotossensível, alinhamento da máscara com o wafer, exposição do fotoresiste, revelação do padrão. B O efeito da difração da luz usada para exposição com o padrão da máscara limita a resolução das estruturas. C No resiste positivo as partes não expostas são dissolvidas na revelação. D O ambiente da sala de fotolitografia é iluminado em um comprimento de onda que não interfere com o material fotossensível. E O fotoresiste é exposto a luz ultravioleta para ser sensibilizado (usualmente as linhas g, h ou i de lâmpadas de mercúrio).

5 Q426159

Engenharia Física

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

As afirmativas abaixo são verdadeiras, EXCETO:

A Em MOSFETs a presença de íons de sódio no óxido compromete o desempenho do dispositivo, devido a sua alta mobilidade iônica. B A camada de óxido de porta de MOSFETs é preferencialmente fabricada por oxidação em vapor de água. C A taxa de crescimento do óxido de silício em oxidação úmida é muito mais alta que a oxidação seca. D Altas taxas de crescimento de óxido resultam em maior número de estados localizados na interface Si-SiO2. E A presença de cloro na atmosfera oxidante reduz a incorporação de sódio no óxido.

6 Q426157

Engenharia Física

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

A junção Schottky metal-semicondutor e a junção p-n apresentam características I-V similares, no entanto são dispositivos fundamentalmente diversos. Quanto à comparação entre esses dois sistemas pode-se afirmar, EXCETO:

A A corrente na barreira Schottky é essencialmente de portadores majoritários. B A corrente na junção p-n é devida a portadores minoritários. C Os diodos de contato Schottky suportam uma corrente maior que os diodos p-n. D A corrente de saturação dos diodos Schottky é muito maior que no diodo p-n. E Diodos Schottky respondem melhor em altas freqüências que os diodos p-n, pois nesses últimos os minoritários demandam mais tempo para esvaziar a região da barreira.

7 Q426155

Engenharia Física

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

A 0,56 V B 0,85 V C 1,12 V D 1,42 V E Nenhuma das anteriores.

8 Q426154

Engenharia Física

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

A respeito do microscópio de feixe de íons focalizados – FIB – e seu uso em análise de falhas de circuitos integrados, podese afirmar, EXCETO:

A O canhão de íons usualmente é de Ga+, com o Ga sendo suprido de uma fonte liquida. B Imagens podem ser obtidas com o feixe de íons. C Ao fazer uma imagem com o feixe de Ga+, a amostra é atacada. D Com o feixe de íons é possível abrir vias em circuitos integrados prontos e acessar dispositivos, ou blocos funcionais, no interior do CI. E A ação do feixe de íons é altamente localizada, não deixando contaminação ou dano fora da região alvo.

9 Q426152

Engenharia Física

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Microscopias eletrônicas de varredura e transmissão são intensamente utilizadas na análise de falhas e estudo de confiabilidade na indústria de semicondutores e microeletrônica. As afirmativas seguintes sobre a microscopia eletrônica de transmissão são verdadeiras, EXCETO:

A Um microscópio eletrônico de transmissão é similar a um microscópio óptico para luz visível, contendo um conjunto de lentes de magnificação para a formação da imagem. B A resolução em um microscópio de transmissão é muito mais alta que em um microscópio de transmissão porque não há o volume de interação na amostra. C O comprimento de onda de de Broglie dos elétrons do feixe é da ordem de 0,004 nm. D A preparação da amostra é o ponto fraco da microscopia eletrônica de transmissão, porque a amostra tem que ser afinada até ficar transparente aos elétrons. E O comprimento de onda de de Broglie dos elétrons do feixe é muito menor que a distância interatômica dos materiais, e devido a isso não ocorre difração dos elétrons mesmo em amostras cristalinas.

10 Q426151

Engenharia Física

Ano: 2012

Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Com respeito à resolução e formação de imagem em um microscópio eletrônico de varredura, pode-se afirmar que

A a resolução é determinada pelo volume de interação do feixe no material. B a resolução é determinada pelo diâmetro do feixe. C a resolução é definida pelo comprimento de onda de de Broglie dos elétrons do feixe. D a formação da imagem se dá através de óptica específica para coleta dos elétrons secundários. E a imagem formada com os elétrons retroespalhados elasticamente tem melhor resolução que a formada com os elétrons secundários.

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