A junção Schottky metal-semicondutor e a junção p-n apres...

Questão Q426157

2012 FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Prova: Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo Área Engenharia Física (ETEA - PESDES) - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) do ano 2012 • Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

A junção Schottky metal-semicondutor e a junção p-n apresentam características I-V similares, no entanto são dispositivos fundamentalmente diversos. Quanto à comparação entre esses dois sistemas pode-se afirmar, EXCETO:

A A corrente na barreira Schottky é essencialmente de portadores majoritários. B A corrente na junção p-n é devida a portadores minoritários. C Os diodos de contato Schottky suportam uma corrente maior que os diodos p-n. D A corrente de saturação dos diodos Schottky é muito maior que no diodo p-n. E Diodos Schottky respondem melhor em altas freqüências que os diodos p-n, pois nesses últimos os minoritários demandam mais tempo para esvaziar a região da barreira.

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