Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

#Questão 426147 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Uma técnica metrológica de grande importância em microfabricação é a microscopia de força atômica. Com relação ao uso dessa ferramenta em microeletrônica NÃO se pode afirmar o seguinte:

A) Medidas com resolução de profundidade de até 0,01nm são possíveis.

B) AFM é usada para medir a rugosidade da superfície de wafers de Si.

C) A interação da sonda com a amostra pode danificar tanto a amostra quanto a sonda.

D) As sondas tem elevadíssima razão de aspecto, o que permite obter imagens de objetos nanométricos.

E) A resolução lateral é limitada pelo mecanismo piezoelétrico de varredura.

#Questão 426149 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A) Espectroscopia eletrônica de perda de energia (EELS), topografia de raios X (XRT), espectroscopia de fotoemissão com ultravioleta (UPS), fluorescência de raios X (XRF), espectrometria de retroespalhamento Rutherford (RBS).

B) Microscopia eletrônica de varredura (SEM), catodolumiscência (CL), fotocondutividade (PC), topografia de raios X (XRT), espectroscopia de massa de íons secundários (SIMS).

C) Difração de elétrons lentos (LEED), eletroluminscência (EL), espectroscopia de fotoemissão com ultravioleta (UPS), topografia de raios X (XRT), espectrometria de retroespalhamento Rutherford (RBS).

D) Espectroscopia de elétrons Auger (AES), microsonda de elétrons (EMP), espectroscopia de fotoemissão com raios X (XPS), fluorescência de raios X (XRF), espectroscopia de massa de íons secundários (SIMS).

E) Corrente induzida por feixe de elétrons (EBIC), microsonda de elétrons (EMP), espectroscopia de fotoemissão com ultravioleta (UPS), difração de raios X (XRD), espectrometria de retroespalhamento Rutherford (RBS).

#Questão 426151 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Com respeito à resolução e formação de imagem em um microscópio eletrônico de varredura, pode-se afirmar que

A) a resolução é determinada pelo volume de interação do feixe no material.

B) a resolução é determinada pelo diâmetro do feixe.

C) a resolução é definida pelo comprimento de onda de de Broglie dos elétrons do feixe.

D) a formação da imagem se dá através de óptica específica para coleta dos elétrons secundários.

E) a imagem formada com os elétrons retroespalhados elasticamente tem melhor resolução que a formada com os elétrons secundários.

#Questão 426152 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Microscopias eletrônicas de varredura e transmissão são intensamente utilizadas na análise de falhas e estudo de confiabilidade na indústria de semicondutores e microeletrônica. As afirmativas seguintes sobre a microscopia eletrônica de transmissão são verdadeiras, EXCETO:

A) Um microscópio eletrônico de transmissão é similar a um microscópio óptico para luz visível, contendo um conjunto de lentes de magnificação para a formação da imagem.

B) A resolução em um microscópio de transmissão é muito mais alta que em um microscópio de transmissão porque não há o volume de interação na amostra.

C) O comprimento de onda de de Broglie dos elétrons do feixe é da ordem de 0,004 nm.

D) A preparação da amostra é o ponto fraco da microscopia eletrônica de transmissão, porque a amostra tem que ser afinada até ficar transparente aos elétrons.

E) O comprimento de onda de de Broglie dos elétrons do feixe é muito menor que a distância interatômica dos materiais, e devido a isso não ocorre difração dos elétrons mesmo em amostras cristalinas.

#Questão 426154 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A respeito do microscópio de feixe de íons focalizados – FIB – e seu uso em análise de falhas de circuitos integrados, podese afirmar, EXCETO:

A) O canhão de íons usualmente é de Ga⁺, com o Ga sendo suprido de uma fonte liquida.

B) Imagens podem ser obtidas com o feixe de íons.

C) Ao fazer uma imagem com o feixe de Ga⁺, a amostra é atacada.

D) Com o feixe de íons é possível abrir vias em circuitos integrados prontos e acessar dispositivos, ou blocos funcionais, no interior do CI.

E) A ação do feixe de íons é altamente localizada, não deixando contaminação ou dano fora da região alvo.

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