Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

#Questão 426140 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 426143 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A) O volume de material analisado é definido pela profundidade de penetração dos fótons de excitação.

B) Apenas uma fração dos elétrons fotoexcitados escapa da amostra, somente aqueles que tem momento na direção da superfície.

C) Os fotoelétrons carregam informação sobre o ambiente químico do átomo, podendo assim informar sobre as ligações químicas presentes.

D) O espectro de fotoemissão pode ter os níveis de caroço, os elétrons Auger e os elétrons de valência do material.

E) A área sob um pico é proporcional à concentração do elemento, podendo, portanto, ser feita uma análise quantitativa.

#Questão 426145 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A) Que entre a amostra e o analisador há uma diferença de potencial devido à diferença entre as suas funções-trabalho.

B) Ao iluminar o semicondutor com fótons de 21,2 eV, elétrons que saem do semicondutor com energia próxima de zero são detectados no analisador com energia cinética da ordem da diferença das energias de vácuo. O espectro medido é deslocado no sentido de energia cinética positiva.

C) Caso a função-trabalho do semicondutor fosse menor que a função-trabalho do analisador o espectro de fotoemissão do semicondutor medido pelo analisador seria truncado nas suas energias cinéticas baixas.

D) Que o sistema semicondutor-metal não se encontra em equilíbrio termodinâmico.

E) Que as energias de ligação dos níveis de caroço do semicondutor não dependem do analisador, pois são referenciadas ao máximo da banda de valência do semicondutor.

#Questão 426138 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Silício se cristaliza na estrutura do diamante, com parâmetro de rede igual a 5,43 Å. A estrutura do diamante é composta de dois cubos de face centrada deslocados de ¼ ao longo da sua diagonal principal. Qual a densidade de sítios atômicos na superfície (110) de um monocristal de silício?

A) 6,78 x 10¹⁴ sítios/cm²

B) 7,83 x 10¹⁴ sítios/cm²

C) 9,59 x 10¹⁴ sítios/cm²

D) 1,52 x 10¹⁴ sítios/cm²

E) Nenhuma das anteriores.

#Questão 426141 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Informação estrutural é muito importante tanto para o desenvolvimento de novos dispositivos, quanto para controle de processos em microfabricação. Tendo em vista o uso de raios X em microeletrônica aponte qual afirmativa NÃO é verdadeira dentre as seguintes alternativas:

A) Através de difração de raios X é possível medir a tensão mecânica nas camadas de um dispositivo.

B) O difratograma de raios X é usado para identificar quimicamente os elementos presentes nos filmes depositados.

C) As espessuras de camadas epitaxiais em semicondutores avançados podem ser obtidas do seu difratograma de raios X

D) Os tamanhos dos grãos das trilhas metálicas dos circuitos integrados podem ser medidos por difração de raios X.

E) Através de difração de raios X o cristal de silício é orientado para o processo de fatiamento em wafers e identificação.

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