Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

#Questão 413770 - Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quando se indica que um circuito integrado foi fabricado em tecnologia CMOS com rótulo de 0,35 micrometro, sabe-se que

A) o óxido de porta tem espessura de 0,35 micrometro.

B) a distância mínima entre dois transistores deve ser de 0,35 micrometro.

C) a menor dimensão de um transistor que se consegue realizar no chip é de 0,35 micrometro.

D) o comprimento de onda da fonte UV utilizada para a etapa de fotolitografia é de 0,35 micrometro.

E) a densidade de transistores nesta tecnologia pode ser maior que em uma tecnologia CMOS com rótulo 0,5 micrometro.

#Questão 413771 - Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

O processo de fotolitografia é essencial para a fabricação de circuitos integrados. No escopo da fotolitografia qual das afirmativas abaixo é a correta?

A) Utiliza-se um material polimérico denominado eletroresiste para a transferência de um padrão geométrico para o chip.

B) Consegue-se uma definição lateral menor de um padrão geométrico com um comprimento de onda maior do feixe de luz.

C) Consegue-se obter dimensões laterais menores do padrão geométrico através de imersão em solução líquida.

D) Fotolitografia de contato é o método que permite a maior repetibilidade na produção de chips.

E) A melhor resolução fotolitográfica é obtida quando se utiliza uma lente de projeção com superfície esférica.

#Questão 413774 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Circuitos integrados são fabricados em salas limpas, também denominadas salas brancas. Qual das afirmativas abaixo é incorreta?

A) Há mais de um sistema amplamente utilizado para a classificação do nível de pureza do ar de salas limpas.

B) O ambiente da sala limpa onde se realiza a etapa de fotolitografia deve ser iluminado com luz amarelada apropriada.

C) Segundo um mesmo critério de avaliação, uma sala limpa classe 100 exibe maior nível de pureza que outra classe 1000.

D) A pressão dentro de um ambiente de sala limpa em microeletrônica deve ser positiva.

E) Para se utilizar uma sala limpa deve-se utilizar vestimenta especial com tecido isolante elétrico.

#Questão 413776 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Com relação às portas utilizadas nos transistores de efeito de campo (MOSFETs) em tecnologias CMOS padrão de vanguarda, pode-se dizer que

A) o alumínio é o metal mais comumente utilizado.

B) o silício monocristalino tipo p é o material mais comumente utilizado.

C) o silício policristalino fracamente dopado é o material mais comumente utilizado.

D) as ligas de silício com metal refratário são os materiais mais comumente utilizados.

E) o silício monocristalino tipo n é o material mais comumente utilizado.

#Questão 413778 - Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Os níveis de tensão permitidos são menores em chips fabricados em processos CMOS padrão com rótulo menor, escalonados com campo constante. Dos fatores abaixo relacionados, qual influencia mais significativamente essa tendência?

A) Maior concentração de dopantes nas regiões de dreno e fonte dos transistores MOSFET.

B) Inclusão de transistores bipolares no chip.

C) Utilização de filmes com baixa permissividade elétrica relativa entre camadas de metal.

D) Aumento no número de camadas de metal para trilhas.

E) Necessidade de níveis de tensão cada vez menores na saída do chip.

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