Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

#Questão 413615 - Engenharia Elétrica, Conceitos Básicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

As afirmativas abaixo se referem ao reator de deposição química a partir de vapor em baixa pressão. I – Na deposição química a partir de vapor em baixas temperaturas, é possível se posicionar os wafers na vertical, com espaçamento bastante reduzido entre eles, proporcionando o posicionamento de grande número de wafers no interior da câmara, o que compensa as baixas taxas de deposição em relação à deposição química, a partir de vapor à pressão atmosférica. II – Como os gases reagentes são consumidos ao entrarem em contato com os wafers, a concentração de gases reagentes próxima à entrada da mistura de gases é maior do que a concentração de gases reagentes próxima à saída dos gases. III - O estabelecimento de um gradiente de temperatura no interior da câmara, com o aumento da temperatura no sentido contrário ao fluxo de gases (temperatura maior na entrada e menor na saída dos gases) é fundamental para aumentar a uniformidade dos wafers. Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s):

A) I, II, III estão corretas.

B) Apenas I e II estão corretas.

C) Apenas III está correta.

D) Apenas I e III estão corretas.

E) Apenas II está correta.

#Questão 413617 - Engenharia Elétrica, Conceitos Básicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A seguir, são apresentadas algumas vantagens de diferentes processos de deposição química a partir de vapor.

I – Reator simples.

II – Altas taxas de deposição.

III – Excelente pureza e uniformidade.

IV – Baixa temperatura.

Assinale a alternativa que apresenta a(s) vantagem(ns) da deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

A) Apenas I.

B) Apenas I e II.

C) Apenas III.

D) Apenas II e III.

E) Apenas III e IV.

#Questão 413624 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Analise as afirmativas abaixo:

I – Durante os estágios iniciais da oxidação, a concentração de dopantes não tem influência na taxa de crescimento do óxido.

II – Em óxido com grande concentração de dopante, a taxa de crescimento durante o estágio da oxidação controlado por difusão depende fortemente da concentração de impurezas no óxido de silício (SiO₂).

III – A migração de dopante para o óxido enfraquece as ligações no óxido, o que facilita a difusão de oxigênio (O₂) e água (H₂O), aumentando a taxa de crescimento do óxido.

A(s) afirmativa(s) correta(s) é (são)

A) apenas I.

B) apenas II.

C) apenas III.

D) apenas I e II.

E) apenas II e III.

#Questão 413625 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Leia atentamente as afirmativas abaixo.

I – A difusividade no silicone monocristalino e policristalino é controlada pela difusão no interior do grão.

II – No polissilício, os grãos são pequenos e a difusão no interior dos grãos ocorre muito rapidamente.

III – No silício policristalino, a difusividade é controlada pela difusão nos contornos de grão.

Está(estão) correta(s) a(s) afirmativa(s)

A) apenas I.

B) apenas II.

C) apenas III.

D) apenas II e III.

E) apenas I, II e III.

#Questão 413630 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

As propriedades de um filme depositado por spin-on NÃO dependem do seguinte parâmetro:

A) aceleração do spinner.

B) velocidade final de rotação.

C) velocidade do plasma.

D) velocidade do spinner no momento do gotejamento da solução.

E) viscosidade da solução.

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