Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

#Questão 413610 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Leia as afirmativas abaixo.

I – A dopagem de um semicondutor com elementos da família V-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo P.

II – A dopagem de semicondutores com elementos da família III-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo P.

III – Em semicondutores do tipo N há maior concentração de elétrons livres que em um semicondutor intrínseco.

Assinale a opção que apresenta a(s) afirmativa(s) correta(s).

A) Apenas I está correta.

B) Apenas II está correta.

C) Apenas III está correta.

D) Apenas I e II estão corretas.

E) Apenas II e III estão corretas.

#Questão 413613 - Engenharia Elétrica, Conceitos Básicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

As alternativas abaixo se referem ao processo de deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

I – É um processo controlado pela taxa de reação.

II – A temperatura deve ser muito bem controlada e uniforme em todas as superfícies do wafer.

III – Um fluxo constante e uniforme de gases reagentes deve alcançar todas as superfícies do wafer.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).

A) Apenas I está correta.

B) Apenas II está correta.

C) Apenas III está correta.

D) Apenas I e II estão corretas.

E) I, II e III estão corretas.

#Questão 413619 - Engenharia Elétrica, Conceitos Básicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Assinale a alternativa que apresenta as desvantagens da deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

A) Temperatura elevada.

B) Contaminação química.

C) Cobertura de degrau pobre.

D) Contaminação por partículas.

E) Taxas de deposição excessivamente altas, o que dificulta o controle do processo.

#Questão 413620 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 413622 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Abaixo estão citadas diferentes técnicas de análise de materiais. Assinale a técnica que não pode ser utilizada para levantamento do perfil de dopagem em semicondutores.

A) Elipsometria espectral.

B) Espectrometria de massa por íons secundários.

C) Levantamento do perfil capacitância-voltagem.

D) Resistência ao espalhamento.

E) Fotoluminescência.

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