Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

#Questão 413602 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quais as cargas encontradas na estrutura de porta MOS e qual medida as identifica?

A) Cargas capturadas na interface, Cargas capturadas no óxido, Cargas fixas e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de quatro pontas.

B) Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de quatro pontas.

C) Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de Capacitância-Tensão (C-V).

D) Cargas capturadas na interface, Cargas capturadas no óxido, Cargas fixas e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de Capacitância-Tensão (C-V).

E) Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de corrente-tensão (I-V).

#Questão 413612 - Engenharia Elétrica, Conceitos Básicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Assinale a alternativa que NÃO expressa uma etapa da deposição química a partir de vapor.

A) O vapor se condensa na superfície do substrato.

B) Uma mistura de gases reagentes e inertes é introduzida na câmara de reação.

C) Os reagentes são adsorvidos no substrato.

D) Os adátomos migram e iniciam as reações químicas que formam um filme.

E) Os produtos gasosos da reação são dessorvidos e extraídos da câmara de reação.

#Questão 413604 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Leia as afirmativas abaixo acerca do processo de difusão.

I – Quanto menor o coeficiente de difusão, maior a temperatura.

II – De maneira geral, o coeficiente de difusão de átomos intersticiais é maior que o de átomos substitucionais.

III – A taxa de difusão em regime estacionário é proporcional ao gradiente de concentração.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira(s).

A) Apenas I é verdadeira.

B) Apenas II é verdadeira.

C) Apenas III é verdadeira.

D) Apenas I e III são verdadeiras.

E) Apenas II e III são verdadeiras.

#Questão 413606 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Uma das etapas de fabricação de circuitos integrados é a dopagem de semicondutores. O coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 3.10^-15 cm2/s à 950º C. A 850º C o coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 1,5.10^-16 cm²/s. Sabendo-se que, a 950º C, o processo desejado é realizado em 30 minutos, quanto tempo durará o processo a 850º C, para que se obtenha o mesmo resultado.

A) Uma hora e quarenta minutos.

B) Cinco horas.

C) Dez horas.

D) Dez minutos.

E) Uma hora.

#Questão 413607 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Leia atentamente as afirmativas abaixo:

I – O modelo de Deal e Grove se aplica à oxidação do silício nos estágios iniciais.

II – Pelo modelo de Deal e Grove, a oxidação ocorre após a difusão da espécie oxidante pelo óxido de silício até a interface do óxido de silício com o silício (interface Si/SiO₂), em que ocorre a reação de oxidação do silício.

III – O modelo de Deal e Grove aplica-se apenas à oxidação úmida.

IV – O modelo de Deal e Grove se aplica ao crescimento de óxido de silício no silício para espessuras do óxido de silício, a partir de 300 ângstrons.

Assinale a alternativa com as afirmativas corretas.

A) Apenas I e IV são verdadeiras.

B) Apenas II e III são verdadeiras.

C) Apenas III e IV são verdadeiras.

D) Apenas II e IV são verdadeiras.

E) Apenas II, III e IV são verdadeiras.

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