Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

#Questão 413633 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A principal técnica utilizada na deposição de polissilício é

A) spin-on.

B) deposição física a partir de vapor por Sputtering.

C) deposição química a partir de vapor melhorada por plasma.

D) deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

E) deposição química a partir de vapor à pressão atmosférica.

#Questão 413638 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Dentre as aplicações abaixo, assinale a que NÃO corresponde a uma aplicação de spin-on.

A) Deposição de fotorresite.

B) Deposição de poliimida.

C) Metalização.

D) Deposição de epóxi.

E) Deposição de camada de vidro com propriedades semelhantes ao dióxido de silício.

#Questão 413641 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Com relação às aplicações do dióxido de silício, assinale a alternativa INCORRETA.

A) Dielétrico de porta em estrutura metal-óxido-substrato (MOS).

B) Camada de isolação entre camadas de silício/polissilício e metais.

C) Agente catalizador da difusão para dopagem.

D) Máscara em processos de corrosão.

E) Camada de passivação e proteção.

#Questão 413644 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Qual das alternativas abaixo melhor ilustra as etapas básicas do fluxo de projeto analógico, em sua ordem cronológica, considerando a interdependência entre as etapas e as respectivas ferramentas de EDA utilizadas?

A) Entrada de esquemático (Virtuoso Schematic Editor), simulação elétrica com parasitas (Spectre), LVS (Assura), extração de parasitas (Assura RCX), simulação elétrica sem parasitas (Spectre), DRC (QRC Extraction).

B) Concepção, especificação, entrada de esquemático (Virtuoso Schematic Editor), simulação elétrica sem parasitas (Spectre), elaboração de layout (Virtuoso Layout XL) DRC (Assura), LVS (Assura), extração de parasitas (QRC Extraction), simulação elétrica com parasitas (Spectre).

C) Concepção, especificação, entrada de esquemático (Virtuoso Schematic Editor), simulação elétrica sem parasitas (Spectre), DRC (Calibre), LVS (Assura), extração de parasitas (Assura RCX), simulação elétrica com parasitas (QRC Extraction).

D) DRC (StarRC), LVS (Assura LVS), entrada de esquemático (Virtuoso Schematic Editor), extração de parasitas (Assura RCX), simulação elétrica sem parasitas (Spectre), simulação elétrica com parasitas (Calibre).

E) Entrada de esquemático (Virtuoso Schematic Editor), elaboração de layout (Virtuoso Layout XL), LVS (Calibre), simulação elétrica sem parasitas (Spectre), DRC (Assura).

#Questão 413627 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Deposita-se a solução que contém o dopante no centro da lâmina de silício e, rapidamente, a mesma é colocada em alta rotação, de modo que a solução forme uma película homogênea sobre sua superfície. O processo de deposição ora descrito é conhecido como

A) deposição física a partir de vapor à pressão atmosférica.

B) deposição química de vapor melhorada por plasma.

C) spin-on.

D) deposição física a altas temperaturas.

E) deposição física por Sputtering.

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