Questão
Q413613
Prova: Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo Área Engenharia Elétrica (ETEA - DIFUSA) - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) do ano 2012
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Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC
As alternativas abaixo se referem ao processo de deposiçã...
As alternativas abaixo se referem ao processo de deposição química a partir de vapor em baixa pressão. I – É um processo controlado pela taxa de reação. II – A temperatura deve ser muito bem controlada e uniforme em todas as superfícies do wafer. III – Um fluxo constante e uniforme de gases reagentes deve alcançar todas as superfícies do wafer. Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).Comentários
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