Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

#Questão 413832 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Um possível método de conexão entre um dispositivo semicondutor e um circuito externo consiste em realizar a conexão do primeiro diretamente ao segundo. Neste método, os terminais do chip recebem deposições de porções de solda, antes mesmo de sua separação do wafer. Posteriormente, o chip é virado com seus terminais sobre o circuito externo e a soldagem é realizada pelo derretimento da solda, normalmente através de ar quente. Tal método é conhecido como:

A) Wire-Bonder.

B) Probe-card.

C) Flip-chip.

D) Wire-Probing.

E) Chip-Soldering.

#Questão 413859 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Para a execução de uma implantação de íons, os seguintes parâmetros de processo devem ser selecionados:

A) Corrente elétrica e Campo Elétrico.

B) Energia e dose do feixe de íons, massa do íon e ângulos de inclinação e rotação da amostra.

C) Energia e dose do feixe de elétrons, massa do elétron e ângulo de inclinação da amostra.

D) Corrente e dose do feixe de íons, massa do elétron e sem ângulo de inclinação da amostra.

E) Corrente e dose do feixe de elétrons, massa do íon e sem ângulo de inclinação da amostra.

#Questão 413861 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSFETs é utilizada, principalmente, para obtenção de

A) junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.

B) junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.

C) junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.

D) junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.

E) junções rasas e profundas de fonte e de dreno e para ajustar o comprimento de transistores MOSFETs.

#Questão 413871 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Qual processo deve ser executado para corrigir os danos causados pela implantação de íons em lâmina de Si?

A) Oxidação térmica seca.

B) Recozimento térmico em ambiente inerte.

C) Deposição a partir da fase vapor.

D) Oxidação térmica úmida.

E) Tratamento térmico em ambiente de oxigênio.

#Questão 413872 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Qual deve ser o ambiente interno no implantador de íons para executar o processo?

A) Ambiente inerte com gás nitrogênio.

B) Ambiente em vácuo com pressão em torno de 1 mTorr.

C) Ambiente em vácuo em pressão atmosférica.

D) Ambiente inerte com gás argônio.

E) Ambiente em vácuo com pressão menor que 10^-6 Torr.

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