Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

#Questão 413842 - Engenharia Elétrica, Geração e recepção de sinais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Durante o projeto de circuitos de sinais mistos, digitais e analógicos, alguns cuidados devem ser tomados relativos à interferência entre os sinais de chaveamento e os sinais analógicos, que normalmente possuem níveis de amplitude bem menores. Com relação a este tipo de circuito, analise as seguintes sentenças:

I) Em um projeto de circuito de sinais mistos, devem ser criados dois tipos distintos de terra: um digital e um analógico.

II) Em circuitos mistos, as correntes de retorno pelo terra podem gerar diferenças de potenciais (DDPs) ao longo do caminho até a fonte. Estas DDPs variam ao longo do tempo e podem se somar a sinais que utilizem esta mesma referência, gerando oscilação em sinais de baixa amplitude constantes do circuito.

Em relação a estas sentenças, pode-se afirmar que:

A) As duas sentenças são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.

B) As duas sentenças são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.

C) A primeira sentença é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.

D) A primeira sentença é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.

E) Tanto a primeira como a segunda sentenças são falsas.

#Questão 413876 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Que parte do sistema de implantação de íons faz a contagem de íons que penetram na lâmina e determina o final do processo?

A) Gaiola de Faraday com circuito integrador.

B) Fonte de íons.

C) Analisador Magnético.

D) Gaiola de Lorentz.

E) Fonte de átomos.

#Questão 413878 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Que processos são utilizados para obter junções rasas (com profundidade menor que 50 nm) em Si do tipo n+?

A) Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.

B) Implantação de íons de ³¹P⁺seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.

C) Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 600ºC.

D) Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 600ºC.

E) Implantação de íons de ³¹P⁺seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 1000ºC.

#Questão 413879 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Executando-se a medida de quatro pontas sobre uma camada implantada e recozida, consegue-se obter

A) a destruição da camada implantada.

B) a reconstrução da camada implantada.

C) a resistividade da camada implantada.

D) a rugosidade da camada implantada.

E) a reflexão da camada implantada.

#Questão 413881 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Executando-se a espectroscopia de massa do íon secundário (SIMS) de uma estrutura implantada, consegue-se obter

A) o perfil de implantação na lâmina.

B) a oxidação da lâmina.

C) a deposição de um filme fino sobre a lâmina.

D) a limpeza da lâmina.

E) os defeitos na lâmina.

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