A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSF...

Questão Q413861

2012 FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Engenharia Elétrica Princípios de Ciências dos Materiais

Prova: Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo Área Engenharia Elétrica (ETEA - IMPION) - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) do ano 2012 • Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSFETs é utilizada, principalmente, para obtenção de

A junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs. B junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs. C junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs. D junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs. E junções rasas e profundas de fonte e de dreno e para ajustar o comprimento de transistores MOSFETs.

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