Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO

#Questão 413711 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Para a caracterização de transistores MOS, uma ferramenta importante são as curvas I_DS x V_DS. Com relação a estas curvas, analise as seguintes sentenças:

I) Para levantamento destas curvas, o valor da tensão entre porta e fonte (V_GS) deve sempre ser nulo.

II) A caracterização através destas curvas é feita através da variação da corrente entre dreno e fonte (I_DS) e medição da tensão entre dreno e fonte (V_DS) para um valor fixo de V_GS.

III) Estas curvas são obtidas para diversos valores de V_GS e traçadas em um único gráfico, permitindo a análise do comportamento do transistor para diferentes tensões de porta.

Estão corretas as sentenças:

A) I

B) I e II

C) II

D) II e III

E) III

#Questão 413727 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 413728 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A técnica de montagem de chips (dies) por Solda de Fios (Wire Bonding) apresenta a seguinte vantagem quando comparada com a técnica de flip-chip:

A) maior facilidade de detecção de defeitos.

B) maior densidade de conexões possíveis.

C) maior dissipação elétrica.

D) menor indutância parasita.

E) maior condutividade elétrica.

#Questão 413730 - Engenharia Elétrica, Conceitos Básicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 413713 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Ao realizar alguns testes em um transistor MOS desconhecido, um engenheiro conectou o terminal fonte ao terra e o terminal dreno a uma tensão positiva de forma que V_DS>0. O terminal de porta também foi aterrado, fazendo V_GS = 0. Variando V_DS, conseguiu medir diferentes valores de corrente entre dreno e fonte (I_DS), encontrando uma curva esperada para transistores MOS. Com estas informações, é possível afirmar que este transistor:

A) Não está funcionando corretamente.

B) É um MOSFET canal N tipo enriquecimento.

C) É um MOSFET canal P tipo enriquecimento.

D) É um MOSFET canal N tipo depleção.

E) É um MOSFET canal P tipo depleção.

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