Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO

#Questão 413699 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Uma das características de um transistor MOSFET é a existência de uma tensão de limiar (threshold). Analise as assertivas a seguir, sobre esta tensão:

I) Para tensões entre porta (gate) e fonte (source), VGS, abaixo de uma tensão de limiar (Vt), não haverá ou será muito pequeno o fluxo de corrente entre fonte e dreno.

II) Quando VGS < Vt, a densidade de cargas acumuladas no canal é nula ou muito pequena já que a intensidade de campo elétrico não será suficiente para a formação do canal condutor.

Com relação a essas assertivas, pode-se afirmar que:

A) As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.

B) As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.

C) A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.

D) A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.

E) Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.

#Questão 413701 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Um engenheiro realizou alguns testes com um transistor MOSFET de canal N para tentar caracterizá-lo. Ele estudou a variação das tensões entre porta e fonte (V_GS), e entre dreno e fonte (V_DS). Sendo assim, analise as seguintes asserções feitas:

I) Para uma tensão V_GS fixa, acima da tensão de limiar (V_t), variando-se a tensão V_DS existe um valor desta última que faz com que o transistor entre na região de saturação.

II) Se V_DS = V_GS - V_t, a diferença de potencial entre porta e dreno fica igual à tensão de limiar (Vt), e o canal atinge sua largura máxima, ponto a partir do qual mudanças em V_DS têm pouco efeito sobre o valor de corrente entre fonte e dreno, e o transistor se diz saturado.

Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:

A) As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.

B) As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.

C) A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.

D) A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.

E) Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.

#Questão 413706 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 413721 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Uma característica muito importante de um processo de fabricação de circuitos integrados é a resistência de folha. Com relação a esta característica, assinale a alternativa correta:

A) A resistência de folha é sempre expressa em Ohm/m².

B) A resistência de folha é diretamente proporcional ao comprimento da linha de material medido.

C) A resistência de folha depende somente da resistividade intrínseca do material.

D) A resistência de folha depende da resistividade intrínseca do material e da espessura ou da profundidade da camada.

E) A resistência de folha é diretamente proporcional à espessura ou à profundidade da camada do material.

#Questão 413723 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

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