Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO

#Questão 413725 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 413703 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Um engenheiro, ao realizar testes com um transistor MOSFET de canal N tipo enriquecimento, conectou o terminal fonte ao terra e aplicou uma tensão de 1,5V ao terminal de porta. É sabido que este transistor possui uma tensão de limiar (Vt) de 0,7V. Em seguida, aplicou tensões ao terminal de dreno com valores de: 0,5V; 0,9V e 2 V. Pode-se afirmar que, para cada valor de tensão aplicada ao dreno, o transistor estava operando, respectivamente, nas regiões de:

A) corte, saturação, linear

B) corte, corte, linear

C) saturação, saturação, saturação

D) linear, saturação, saturação

E) linear, linear, saturação

#Questão 413705 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Durante um estudo de caracterização de um MOSFET, foram utilizados 2 (dois) equipamentos para controlar a tensão entre porta e fonte (V_GS) e entre dreno e fonte (V_DS). Tais equipamentos permitem medir a corrente fornecida, e, desta forma, foi medida a corrente entre dreno e fonte (I_DS). Com este esquema de testes, V_DS foi mantido fixo a 0,1V e variou-se V_GS medindo-se I_DS. Os pontos resultantes foram marcados em um gráfico (abscissa V_GS e ordenada I_DS) e foi traçada a reta tangente à curva com maior inclinação com relação ao eixo horizontal. O ponto de interseção da extrapolação desta reta com o eixo horizontal determina para este transistor a:

A) Tensão de limiar.

B) Região de operação.

C) Tensão de Early.

D) Mobilidade.

E) Corrente de sub-limiar.

#Questão 413708 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Um inversor MOS foi construído com MOSFETs casados com tensão de limiar, V_t = 0,5V. Sabendo-se que a tensão de alimentação utilizada é V_DD = 5V, assinale a alternativa que apresenta o menor valor de tensão de entrada que será considerado como um nível lógico 1.

A) 3,2V.

B) 2V.

C) 2,8V.

D) 3V.

E) 2,5V.

#Questão 413709 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Um transistor MOS apresenta um tipo de corrente conhecida como corrente sublimiar. Quanto a esta corrente, analise as sentenças a seguir para um NMOSFET:

I) A corrente sublimiar é a corrente entre dreno e fonte (I_DS) quando o valor da tensão entre porta e fonte (V_GS) é menor que a tensão de limiar (V_t).

II) A corrente sublimiar é sempre nula.

III) Para valores de VGS menores que V_t, porém próximos a este último, pode-se afirmar que a corrente sublimiar é relacionada a V_GS de forma exponencial.

Estão corretas as sentenças:

A) I

B) I e II

C) II

D) I e III

E) I, II e III

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