Questão Q413705
2012 FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos
Prova: Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo Área Engenharia Elétrica (ETEA - EDIECO) - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) do ano 2012 • Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

Durante um estudo de caracterização de um MOSFET, foram u...

Durante um estudo de caracterização de um MOSFET, foram utilizados 2 (dois) equipamentos para controlar a tensão entre porta e fonte (VGS) e entre dreno e fonte (VDS). Tais equipamentos permitem medir a corrente fornecida, e, desta forma, foi medida a corrente entre dreno e fonte (IDS). Com este esquema de testes, VDS foi mantido fixo a 0,1V e variou-se VGS medindo-se IDS. Os pontos resultantes foram marcados em um gráfico (abscissa VGS e ordenada IDS) e foi traçada a reta tangente à curva com maior inclinação com relação ao eixo horizontal. O ponto de interseção da extrapolação desta reta com o eixo horizontal determina para este transistor a:

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