Durante um estudo de caracterização de um MOSFET, foram u...

Engenharia Elétrica - Dispositivos Eletrônicos - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012 - Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo

Durante um estudo de caracterização de um MOSFET, foram utilizados 2 (dois) equipamentos para controlar a tensão entre porta e fonte (VGS) e entre dreno e fonte (VDS). Tais equipamentos permitem medir a corrente fornecida, e, desta forma, foi medida a corrente entre dreno e fonte (IDS). Com este esquema de testes, VDS foi mantido fixo a 0,1V e variou-se VGS medindo-se IDS. Os pontos resultantes foram marcados em um gráfico (abscissa VGS e ordenada IDS) e foi traçada a reta tangente à curva com maior inclinação com relação ao eixo horizontal. O ponto de interseção da extrapolação desta reta com o eixo horizontal determina para este transistor a:
  • A. Tensão de limiar.
  • B. Região de operação.
  • C. Tensão de Early.
  • D. Mobilidade.
  • E. Corrente de sub-limiar.
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