Questão Q413711
2012 FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Engenharia Elétrica Dispositivos Eletrônicos
Prova: Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo Área Engenharia Elétrica (ETEA - EDIECO) - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) do ano 2012 • Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

Para a caracterização de transistores MOS, uma ferramenta...

Para a caracterização de transistores MOS, uma ferramenta importante são as curvas IDS x VDS. Com relação a estas curvas, analise as seguintes sentenças:

I) Para levantamento destas curvas, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS) deve sempre ser nulo.

II) A caracterização através destas curvas é feita através da variação da corrente entre dreno e fonte (IDS) e medição da tensão entre dreno e fonte (VDS) para um valor fixo de VGS.

III) Estas curvas são obtidas para diversos valores de VGS e traçadas em um único gráfico, permitindo a análise do comportamento do transistor para diferentes tensões de porta.

Estão corretas as sentenças:

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