Questões sobre Dispositivos Eletrônicos

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Listagem de Questões sobre Dispositivos Eletrônicos

#Questão 413706 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Para se fabricar um inversor com transistores MOS, pode-se fazê-lo utilizando:

#Questão 413738 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Qual é a maior fonte de contaminação em uma Sala Limpa de fabricação de semicondutores?

#Questão 413809 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Qual dos processos abaixo não está diretamente relacionado com as etapas de fabricação de um circuito integrado em um processo CMOS padrão moderno?

#Questão 413709 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Um transistor MOS apresenta um tipo de corrente conhecida como corrente sublimiar. Quanto a esta corrente, analise as sentenças a seguir para um NMOSFET:

I) A corrente sublimiar é a corrente entre dreno e fonte (IDS) quando o valor da tensão entre porta e fonte (VGS) é menor que a tensão de limiar (Vt).

II) A corrente sublimiar é sempre nula.

III) Para valores de VGS menores que Vt, porém próximos a este último, pode-se afirmar que a corrente sublimiar é relacionada a VGS de forma exponencial.

Estão corretas as sentenças:

#Questão 413711 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Para a caracterização de transistores MOS, uma ferramenta importante são as curvas IDS x VDS. Com relação a estas curvas, analise as seguintes sentenças:

I) Para levantamento destas curvas, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS) deve sempre ser nulo.

II) A caracterização através destas curvas é feita através da variação da corrente entre dreno e fonte (IDS) e medição da tensão entre dreno e fonte (VDS) para um valor fixo de VGS.

III) Estas curvas são obtidas para diversos valores de VGS e traçadas em um único gráfico, permitindo a análise do comportamento do transistor para diferentes tensões de porta.

Estão corretas as sentenças:

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