Questões sobre Dispositivos Eletrônicos

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Listagem de Questões sobre Dispositivos Eletrônicos

#Questão 413573 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

São características extraídas dos transistores MOS:

#Questão 413574 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

No escalamento da tecnologia CMOS, que dimensões dos transistores MOS seguem a tendência de redução?

#Questão 413581 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quais das alternativas a seguir apresenta as etapas sequenciais do método padrão RCA para limpeza de lâminas de Si?

#Questão 413591 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

O que é a técnica de fotolitografia?

#Questão 413606 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Uma das etapas de fabricação de circuitos integrados é a dopagem de semicondutores. O coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 3.10-15 cm2/s à 950º C. A 850º C o coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 1,5.10-16 cm2/s. Sabendo-se que, a 950º C, o processo desejado é realizado em 30 minutos, quanto tempo durará o processo a 850º C, para que se obtenha o mesmo resultado.

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