Questões de Engenharia Elétrica

#Questão 421649 - Engenharia Elétrica, Subestações e Equipamentos Elétricos, CESGRANRIO, 2012, CEF, Engenheiro

A potência de curto-circuito na entrada de uma subestação industrial é de 200 kVA. Sabe-se que a potência do transformador da subestação é de 500 kVA. Admitindo-se que a tensão de base é igual à tensão de entrada do transformador, e que a potência de base é igual à potência do transformador, a reatância reduzida do sistema, em p.u., é igual a

A)

0,4

B)

0,8

C)

1,5

D)

2,0

E)

2,5

#Questão 421650 - Engenharia Elétrica, Subestações e Equipamentos Elétricos, CESGRANRIO, 2012, CEF, Engenheiro

No manual de um no-break monofásico, consta a informação de que a tensão de saída do equipamento, quando operando em modo inversor, é do tipo SPWM (Sinusoidal Pulse Width Modulation), isto é, modulação por largura de pulso senoidal. O inversor é em ponte completa a IGBTs, os dois pares de chaves (IGBTs) são chaveados simultaneamente e de forma complementar, e a tensão do barramento de corrente contínua é igual a V_CC.

Então, para esse modo de operação, a forma de onda de dois períodos (2T) da tensão de saída, medida entre os polos “fase” e “neutro” da tomada de saída do equipamento, é

A)

B)

C)

D)

E)

#Questão 568361 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 568362 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Comparando-se os danos (defeitos) produzidos na camada superficial de material durante corrosão RIE convencional (acoplamento capacitivo) e ICP, observa-se o seguinte:

A) Danos menores durante ICP.

B) Danos menores durante RIE.

C) Depende da temperatura do processo.

D) Depende da temperatura do gás.

E) Depende do tamanho da lamina.

#Questão 568363 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quando se utiliza a deposição química a partir da fase vapor enriquecida por plasma (PECVD)?

A) Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas baixas, menores que 350ºC.

B) Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas altas, maiores que 900ºC.

C) Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas baixas, menores que 350ºC.

D) Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas altas, maiores que 900ºC.

E) Quando se necessita da difusão e deposição de dopantes e filmes em qualquer temperatura.

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