Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

#Questão 413695 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Ao analisar um capacitor MOS, pode-se traçar uma curva do valor de capacitância em função da tensão aplicada aos terminais. Sobre esta curva, conhecida como curva CV, pode-se afirmar que

A) é praticamente uma reta horizontal, uma vez que a variação da capacitância em função da tensão é muito pequena.

B) possui um valor mínimo, porém tende a infinito conforme a tensão varia.

C) pode ser dividida em três regiões: região de acumulação, região de depleção e região de inversão.

D) possui um valor máximo, porém tende a zero conforme a tensão varia.

E) não é uma curva contínua, já que para alguns valores de tensão a capacitância muda bruscamente de valor, devido aos mecanismos de difusão de portadores.

#Questão 413696 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 413698 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Um transistor MOSFET possui algumas regiões de operação que variam conforme a polarização dos terminais deste dispositivo. A única alternativa que NÃO corresponde a uma região de operação de um MOSFET é

A) corte.

B) saturação.

C) linear.

D) triodo.

E) inversão.

#Questão 413706 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 413699 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Uma das características de um transistor MOSFET é a existência de uma tensão de limiar (threshold). Analise as assertivas a seguir, sobre esta tensão:

I) Para tensões entre porta (gate) e fonte (source), VGS, abaixo de uma tensão de limiar (Vt), não haverá ou será muito pequeno o fluxo de corrente entre fonte e dreno.

II) Quando VGS < Vt, a densidade de cargas acumuladas no canal é nula ou muito pequena já que a intensidade de campo elétrico não será suficiente para a formação do canal condutor.

Com relação a essas assertivas, pode-se afirmar que:

A) As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.

B) As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.

C) A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.

D) A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.

E) Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.

Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

Pesquise questões de concurso nos filtros abaixo