Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

#Questão 413687 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Um dos dispositivos semicondutores mais básicos são os diodos. Com relação ao comportamento de um diodo, analise as seguintes assertivas:

I) Em um diodo em equilíbrio, aparece uma região chamada região de depleção, que é formada pelo mecanismo de difusão de portadores majoritários entre semicondutores tipo P e tipo N, na área de interface entre estes. Tal região é limitada em torno da interface entre os materiais.

II) A região de depleção tem seu tamanho limitado, pois os portadores, ao se deslocarem através da interface, fazem com que os materiais semicondutores deixem de ser neutros. Isso causa o aparecimento de um campo elétrico e a formação de uma corrente chamada corrente de deriva, que contrabalanceia a corrente de difusão.

Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:

A) As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.

B) As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.

C) A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.

D) A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.

E) Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.

#Questão 413688 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Analisando as características de um diodo, foram escritas as seguintes observações.

I) Polarizar diretamente um diodo significa aplicar um potencial em seu anodo maior que o potencial do catodo.

II) Com aplicação de polarização direta em um diodo, tem-se uma redução das dimensões da região de depleção, bem como uma redução do campo elétrico e do potencial elétrico na interface entre os semicondutores tipo P e tipo N.

III) Polarizar reversamente um diodo significa aplicar um potencial em seu anodo maior que o potencial do catodo.

Estão corretas as observações:

A) I

B) I e II

C) II

D) I e III

E) I, II e III

#Questão 413690 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 413691 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Para a inserção de capacitores em circuitos integrados, alguns tipos de estruturas são possíveis. Um destes tipos é o capacitor MOS. Analisando-se um capacitor MOS, pode-se afirmar que sua capacitância

A) é independente da tensão e da frequência do sinal aplicado ao componente.

B) é independente da tensão, porém depende da frequência do sinal aplicado ao componente.

C) é independente da frequência, porém depende da tensão do sinal aplicado ao componente.

D) depende tanto da frequência quanto da tensão do sinal aplicado.

E) é dependente do tempo em função do acúmulo de cargas nos materiais que o constituem..

#Questão 413693 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Um engenheiro realizou diversos testes de caracterização de um capacitor MOS variando a tensão aplicada a seus terminais e medindo a capacitância. Analise as seguintes sentenças:

I) A capacitância varia monotonicamente com a tensão.

II) A variação da capacitância é linear com relação à tensão.

III) A curva CV (Capacitância versus Tensão) apresenta um máximo de capacitância.

Este engenheiro pode concluir que estão corretas as sentenças:

A) I

B) I e II

C) II

D) II e III

E) III

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