Questões de Engenharia de Telecomunicações da FUNRIO

#Questão 408272 - Engenharia de Telecomunicações, Eletrônica analógica e digital, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 408274 - Engenharia de Telecomunicações, Eletrônica analógica e digital, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A única diferença entre os flip-flops JK e RS, no que concerne ao seu funcionamento, consiste no fato de que

A) para que o flip-flop JK somente mude seu estado na borda de descida da forma de onda CLK (clock) as entradas J e K devem estar em nível alto.

B) para que o flip-flop JK somente mude seu estado na borda de subida da forma de onda CLK (clock) as entradas R e S devem estar em nível alto.

C) para que o flip-flop JK somente mude seu estado na borda de subida da forma de onda CLK (clock) as entradas J e K devem estar em nível alto.

D) para que o flip-flop JK somente mude seu estado na borda de subida da forma de onda CLK (clock) as entradas R e S devem estar em nível baixo.

E) as mudanças de estado do flip-flop JK ocorrem somente na borda de subida da forma de onda CLK (clock).

#Questão 408276 - Engenharia de Telecomunicações, Eletrônica analógica e digital, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 408280 - Engenharia de Telecomunicações, Eletrônica analógica e digital, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 408281 - Engenharia de Telecomunicações, Eletrônica analógica e digital, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

O que visa a técnica de Multi-Vt, e qual o mecanismo empregado?

A) A técnica de multi-Vt visa diminuir o consumo dinâmico mas procurando manter a performance global utilizando células com dispositivos de alto Vt (baixas correntes de fuga mas maiores tempos de atraso) juntamente com células de dispositivos de baixo Vt (correntes de fuga mais altas e menores atrasos).

B) A técnica de multi-Vt visa diminuir o consumo estático mas procurando manter a performance global utilizando células com dispositivos de alto Vt (baixas correntes de fuga mas maiores tempos de atraso) juntamente com células de dispositivos de baixo Vt (correntes de fuga mais altas e menores atrasos).

C) A técnica de multi-Vt visa diminuir o consumo estático mas procurando manter a performance global alterando de forma dinâmica, através do fenômeno de efeito de corpo, a tensão de Vt dos transístores.

D) A técnica de multi-Vt visa diminuir o consumo dinâmico mas procurando manter a performance global alterando de forma dinâmica, através do fenômeno de efeito de corpo, a tensão de Vt dos transístores.

E) A técnica de multi-Vt visa diminuir o consumo estático mas procurando manter a performance global alterando de forma dinâmica, através do fenômeno de efeito de corpo, a tensão de Vt dos transístores.

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