Questões de Engenharia Física

#Questão 426145 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A) Que entre a amostra e o analisador há uma diferença de potencial devido à diferença entre as suas funções-trabalho.

B) Ao iluminar o semicondutor com fótons de 21,2 eV, elétrons que saem do semicondutor com energia próxima de zero são detectados no analisador com energia cinética da ordem da diferença das energias de vácuo. O espectro medido é deslocado no sentido de energia cinética positiva.

C) Caso a função-trabalho do semicondutor fosse menor que a função-trabalho do analisador o espectro de fotoemissão do semicondutor medido pelo analisador seria truncado nas suas energias cinéticas baixas.

D) Que o sistema semicondutor-metal não se encontra em equilíbrio termodinâmico.

E) Que as energias de ligação dos níveis de caroço do semicondutor não dependem do analisador, pois são referenciadas ao máximo da banda de valência do semicondutor.

#Questão 426147 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 426141 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Informação estrutural é muito importante tanto para o desenvolvimento de novos dispositivos, quanto para controle de processos em microfabricação. Tendo em vista o uso de raios X em microeletrônica aponte qual afirmativa NÃO é verdadeira dentre as seguintes alternativas:

A) Através de difração de raios X é possível medir a tensão mecânica nas camadas de um dispositivo.

B) O difratograma de raios X é usado para identificar quimicamente os elementos presentes nos filmes depositados.

C) As espessuras de camadas epitaxiais em semicondutores avançados podem ser obtidas do seu difratograma de raios X

D) Os tamanhos dos grãos das trilhas metálicas dos circuitos integrados podem ser medidos por difração de raios X.

E) Através de difração de raios X o cristal de silício é orientado para o processo de fatiamento em wafers e identificação.

#Questão 426149 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A) Espectroscopia eletrônica de perda de energia (EELS), topografia de raios X (XRT), espectroscopia de fotoemissão com ultravioleta (UPS), fluorescência de raios X (XRF), espectrometria de retroespalhamento Rutherford (RBS).

B) Microscopia eletrônica de varredura (SEM), catodolumiscência (CL), fotocondutividade (PC), topografia de raios X (XRT), espectroscopia de massa de íons secundários (SIMS).

C) Difração de elétrons lentos (LEED), eletroluminscência (EL), espectroscopia de fotoemissão com ultravioleta (UPS), topografia de raios X (XRT), espectrometria de retroespalhamento Rutherford (RBS).

D) Espectroscopia de elétrons Auger (AES), microsonda de elétrons (EMP), espectroscopia de fotoemissão com raios X (XPS), fluorescência de raios X (XRF), espectroscopia de massa de íons secundários (SIMS).

E) Corrente induzida por feixe de elétrons (EBIC), microsonda de elétrons (EMP), espectroscopia de fotoemissão com ultravioleta (UPS), difração de raios X (XRD), espectrometria de retroespalhamento Rutherford (RBS).

#Questão 426151 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

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