Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2012

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Listagem de Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2012

#Questão 425306 - Engenharia Eletrônica, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Abaixo são citadas características de dois tipos de etching: o seco e o molhado.

I – É anisotrópico, por isso, menos suscetível a remoções laterais indesejadas, ocorrendo em taxas mais lentas.

II – Usa agentes químicos, e apresenta remoção altamente seletiva e isotrópica.

III – Ocasiona remoção lateral indesejada

A(s) afirmativa(s) que se refere(m) ao etching seco é (são):

#Questão 425308 - Engenharia Eletrônica, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Uma importante etapa da fabricação de circuitos integrados é a deposição de filmes muito finos e estreitos de um metal formando uma linha que conecta os diversos dispositivos. Após a deposição desses materiais, outros tratamentos térmicos ainda devem ser realizados com temperaturas de até 500º C. Caso ocorra difusão do metal para o interior do silicone, o circuito integrado pode perder a sua funcionalidade elétrica. Observe os coeficientes de difusão dos metais abaixo no silício (Si):

I – coeficiente de difusão da prata (Ag) = 4,2 x 10-17m2/s.

II – coeficiente de difusão do alumínio (Al) = 2,5 x 19-21 m2/s.

III – coeficiente de difusão do ouro (Au) =2,5 x 19-15 m2/s.

IV – coeficiente de difusão do cobre (Cu) = 4 x 10-13m2/s.

Com base nesses dados e no enunciado da questão, o metal mais indicado para a formação das linhas de interconexão é

#Questão 425310 - Engenharia Eletrônica, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A oxidação térmica do silício tem como finalidade

I – formar máscaras que impedem a implantação iônica e a difusão de dopante no silício (Si).

II – auxiliar na conexão de circuitos, dada a alta condutividade do dióxido de silício (SiO2).

III – a passivação da superfície do wafer.

Assinale a alternativa correta.

#Questão 425312 - Engenharia Eletrônica, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 425313 - Engenharia Eletrônica, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

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