Questão Q425310
2012 FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Engenharia Eletrônica Geral
Prova: Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC - Analista Administrativo Área Engenheiro de Controle (ETEA - MANUEF) - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) do ano 2012 • Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

A oxidação térmica do silício tem como finalidade I – fo...

A oxidação térmica do silício tem como finalidade

I – formar máscaras que impedem a implantação iônica e a difusão de dopante no silício (Si).

II – auxiliar na conexão de circuitos, dada a alta condutividade do dióxido de silício (SiO2).

III – a passivação da superfície do wafer.

Assinale a alternativa correta.

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