Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2007

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Listagem de Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2007

#Questão 425403 - Engenharia Eletrônica, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2007, Petrobras, Engenheiro de Equipamentos Júnior

Com relação a sensores, que são elementos importantes em sistemas de instrumentação, permitindo a monitoração de diversos processos industriais, julgue os itens a seguir.

Os RTDs são sensores de temperatura com comportamento muito mais não-linear que os termistores e os termopares. Esses sensores são ativos, e geram tensões sem necessidade de fontes de polarização. A tensão gerada por esses dispositivos diminui com o aumento da temperatura.

#Questão 425405 - Engenharia Eletrônica, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2007, Petrobras, Engenheiro de Equipamentos Júnior

Com relação a sensores, que são elementos importantes em sistemas de instrumentação, permitindo a monitoração de diversos processos industriais, julgue os itens a seguir.

Os fotodetectores são dispositivos construídos com junção de metais de alta condutividade, que geram tensão inversamente proporcional ao cubo da temperatura do corpo do dispositivo.

#Questão 425407 - Engenharia Eletrônica, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2007, Petrobras, Engenheiro de Equipamentos Júnior

Com relação a sensores, que são elementos importantes em sistemas de instrumentação, permitindo a monitoração de diversos processos industriais, julgue os itens a seguir.

Quando são submetidos a deformação, a resistência dos dispositivos denominados strain gauges varia. Essa variação é, em muitos casos, usada para a construção de instrumentos para a medida de força.

#Questão 425409 - Engenharia Eletrônica, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2007, Petrobras, Engenheiro de Equipamentos Júnior

As tecnologias de transistores de efeito de campo do tipo MOS têm-se estabelecido como as mais populares na construção de circuitos integrados. Com relação a essas tecnologias, julgue os itens seguintes.

Nos dispositivos CMOS, os canais dos transistores NMOS, em geral, têm o dobro da largura dos canais dos dispositivos PMOS, de forma a compensar a maior mobilidade das lacunas em relação aos elétrons.

#Questão 425411 - Engenharia Eletrônica, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2007, Petrobras, Engenheiro de Equipamentos Júnior

As tecnologias de transistores de efeito de campo do tipo MOS têm-se estabelecido como as mais populares na construção de circuitos integrados. Com relação a essas tecnologias, julgue os itens seguintes.

Nos microprocessadores mais avançados disponíveis atualmente, o menor comprimento de canal dos transistores de efeito de campo é de 5 μm.

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