Questões sobre Princípios de Ciências dos Materiais

#Questão 413872 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Qual deve ser o ambiente interno no implantador de íons para executar o processo?

A) Ambiente inerte com gás nitrogênio.

B) Ambiente em vácuo com pressão em torno de 1 mTorr.

C) Ambiente em vácuo em pressão atmosférica.

D) Ambiente inerte com gás argônio.

E) Ambiente em vácuo com pressão menor que 10^-6 Torr.

#Questão 413874 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Qual é a função do analisador magnético do sistema de implantação de íons?

A) Selecionar a dose do feixe de íons.

B) Selecionar a energia do feixe de íons.

C) Selecionar a massa do íon.

D) Selecionar a corrente do feixe de íons.

E) Selecionar o ângulo de inclinação da lâmina para implantação.

#Questão 413876 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Que parte do sistema de implantação de íons faz a contagem de íons que penetram na lâmina e determina o final do processo?

A) Gaiola de Faraday com circuito integrador.

B) Fonte de íons.

C) Analisador Magnético.

D) Gaiola de Lorentz.

E) Fonte de átomos.

#Questão 413868 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os íons de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual íon penetrará menos em sua respectiva lâmina de Si, ou seja, apresentará a menor profundidade no Si? Nota: todas as implantações foram executadas com as mesmas condições de energia, dose e ângulos de inclinação e rotação.

A) ⁷⁵As⁺

B) ³¹P⁺

C) ¹¹B⁺

D) Os três íons penetrarão com a mesma profundidade no Si

E) Os íons de ⁷⁵As⁺ e ¹¹B⁺ penetrarão com a mesma profundidade no Si

#Questão 413869 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os ions de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual implantação de íons destruirá mais a rede cristalina em sua respectiva lâmina de Si. Nota: todas as implantações foram executadas com a mesma energia e dose, e em temperatura ambiente.

A) As três implantações destruirão por igual a rede cristalina do Si.

B) A implantação de íons de ³¹P⁺

C) A implantação de íons de ¹¹B⁺

D) A implantação de íons de ⁷⁵As⁺

E) As implantações de ⁷⁵As⁺ e ¹¹B⁺ destruirão por igual a rede cristalina do Si, e a de ³¹P⁺ destruirá mais.

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