Questões sobre Princípios de Ciências dos Materiais

#Questão 413607 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Leia atentamente as afirmativas abaixo:

I – O modelo de Deal e Grove se aplica à oxidação do silício nos estágios iniciais.

II – Pelo modelo de Deal e Grove, a oxidação ocorre após a difusão da espécie oxidante pelo óxido de silício até a interface do óxido de silício com o silício (interface Si/SiO₂), em que ocorre a reação de oxidação do silício.

III – O modelo de Deal e Grove aplica-se apenas à oxidação úmida.

IV – O modelo de Deal e Grove se aplica ao crescimento de óxido de silício no silício para espessuras do óxido de silício, a partir de 300 ângstrons.

Assinale a alternativa com as afirmativas corretas.

A) Apenas I e IV são verdadeiras.

B) Apenas II e III são verdadeiras.

C) Apenas III e IV são verdadeiras.

D) Apenas II e IV são verdadeiras.

E) Apenas II, III e IV são verdadeiras.

#Questão 413610 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Leia as afirmativas abaixo.

I – A dopagem de um semicondutor com elementos da família V-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo P.

II – A dopagem de semicondutores com elementos da família III-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo P.

III – Em semicondutores do tipo N há maior concentração de elétrons livres que em um semicondutor intrínseco.

Assinale a opção que apresenta a(s) afirmativa(s) correta(s).

A) Apenas I está correta.

B) Apenas II está correta.

C) Apenas III está correta.

D) Apenas I e II estão corretas.

E) Apenas II e III estão corretas.

#Questão 413624 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Analise as afirmativas abaixo:

I – Durante os estágios iniciais da oxidação, a concentração de dopantes não tem influência na taxa de crescimento do óxido.

II – Em óxido com grande concentração de dopante, a taxa de crescimento durante o estágio da oxidação controlado por difusão depende fortemente da concentração de impurezas no óxido de silício (SiO₂).

III – A migração de dopante para o óxido enfraquece as ligações no óxido, o que facilita a difusão de oxigênio (O₂) e água (H₂O), aumentando a taxa de crescimento do óxido.

A(s) afirmativa(s) correta(s) é (são)

A) apenas I.

B) apenas II.

C) apenas III.

D) apenas I e II.

E) apenas II e III.

#Questão 413630 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

As propriedades de um filme depositado por spin-on NÃO dependem do seguinte parâmetro:

A) aceleração do spinner.

B) velocidade final de rotação.

C) velocidade do plasma.

D) velocidade do spinner no momento do gotejamento da solução.

E) viscosidade da solução.

#Questão 413633 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A principal técnica utilizada na deposição de polissilício é

A) spin-on.

B) deposição física a partir de vapor por Sputtering.

C) deposição química a partir de vapor melhorada por plasma.

D) deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

E) deposição química a partir de vapor à pressão atmosférica.

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