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Questões de Engenharia de Telecomunicações do ano 2012

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Listagem de Questões de Engenharia de Telecomunicações do ano 2012

#Questão 408278 - Engenharia de Telecomunicações, Eletrônica analógica e digital, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quatro flip-flops JK estão conectados em cascata por suas saídas Q, com suas entradas J e K constantes em nível alto. Se a frequência de relógio no primeiro flip-flop é de 400 kHz e se a entrada de relógio nos flip-flops é invertida, a frequência de saída é igual a

A) 100 kHz.

B) 50 kHz.

C) 1,6 MHz.

D) 800 kHz.

E) 25 kHz.

#Questão 408280 - Engenharia de Telecomunicações, Eletrônica analógica e digital, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A função da entrada ENABLE (habilitar) em um circuito integrado multiplexador é a de

A) habilitar a entrada CLEAR (apagar) a aplicar o nível lógico baixo na saída do CI multiplexador.

B) permitir a alteração de estados nas bordas de subida do sinal CLK (relógio).

C) ativar metade das entradas do CI multiplexador.

D) ativar todas as entradas do CI multiplexador.

E) permitir a alteração de estados nas bordas de descida do sinal CLK (relógio).

#Questão 408281 - Engenharia de Telecomunicações, Eletrônica analógica e digital, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

O que visa a técnica de Multi-Vt, e qual o mecanismo empregado?

A) A técnica de multi-Vt visa diminuir o consumo dinâmico mas procurando manter a performance global utilizando células com dispositivos de alto Vt (baixas correntes de fuga mas maiores tempos de atraso) juntamente com células de dispositivos de baixo Vt (correntes de fuga mais altas e menores atrasos).

B) A técnica de multi-Vt visa diminuir o consumo estático mas procurando manter a performance global utilizando células com dispositivos de alto Vt (baixas correntes de fuga mas maiores tempos de atraso) juntamente com células de dispositivos de baixo Vt (correntes de fuga mais altas e menores atrasos).

C) A técnica de multi-Vt visa diminuir o consumo estático mas procurando manter a performance global alterando de forma dinâmica, através do fenômeno de efeito de corpo, a tensão de Vt dos transístores.

D) A técnica de multi-Vt visa diminuir o consumo dinâmico mas procurando manter a performance global alterando de forma dinâmica, através do fenômeno de efeito de corpo, a tensão de Vt dos transístores.

E) A técnica de multi-Vt visa diminuir o consumo estático mas procurando manter a performance global alterando de forma dinâmica, através do fenômeno de efeito de corpo, a tensão de Vt dos transístores.

#Questão 408283 - Engenharia de Telecomunicações, Eletrônica analógica e digital, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

O que visa a técnica de Multi-supply voltage, e qual o mecanismo empregado?

A) A técnica de multi-supply voltage visa diminuir o consumo total, mas procurando manter a performance do circuito, ao utilizar maiores tensões de alimentação em trechos não críticos do circuito, já que a maior tensão de alimentação resultaria em menor consumo mas em maiores tempos de atraso. Nos caminhos críticos seriam utilizadas tensões menores visando-se otimizar a performance.

B) A técnica de multi-supply voltage visa diminuir o consumo total ao variar, continuamente, a tensão de alimentação do circuito todo procurando equilibrar um baixo consumo (conseguido em tensões menores) com uma performance aceitável (a velocidade aumenta com o aumento da tensão de alimentação).

C) A técnica de multi-supply voltage visa diminuir o consumo total, mas procurando manter a performance do circuito, ao utilizar tensões de alimentação menores em trechos não críticos do circuito, já que a menor tensão de alimentação resultaria em menor consumo mas em maiores tempos de atraso. Nos caminhos críticos seriam utilizadas tensões maiores visando-se otimizar a performance.

D) A técnica de multi-supply voltage visa diminuir o consumo total ao variar, em níveis fixos pré-definidos, a tensão de alimentação de alguns blocos circuitais, procurando equilibrar um baixo consumo (conseguido em tensões menores) com uma performance aceitável (a velocidade aumenta com o aumento da tensão de alimentação).

E) A técnica de multi-supply voltage visa diminuir o consumo total ao variar, em níveis fixos pré-definidos, a tensão de alimentação do circuito todo procurando equilibrar um baixo consumo (conseguido em tensões menores) com uma performance aceitável (a velocidade aumenta com o aumento da tensão de alimentação).

#Questão 408285 - Engenharia de Telecomunicações, Eletrônica analógica e digital, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Em que consiste o efeito “Antenna” e como se pode eliminá-lo?

A) O efeito “Antenna” surge quando a área total do metal que conecta o gate de um transistor a outros pontos do circuito for excessiva. Nesses casos, tal metal atua como uma antena que, sob a ação de ondas eletromagnéticas presentes no ambiente, acaba por acumular carga suficiente para destruir o óxido de gate desse transistor. Pode-se eliminar esse problema interrompendo linhas de metal muito extensas (fazendo uma conexão em outro nível de metalização), ou ligando-se um diodo diretamente polarizado entre este metal e o substrato para escoar a carga que venha a se acumular.

B) O efeito “Antenna” surge quando, em função do roteamento, duas áreas suficientemente grandes de metais 1 e 2 se sobrepõem, sendo que o metal 1 está ligado ao gate de um transistor. Nessa situação, o metal 2 atua como uma antena que, sob a ação de ondas eletromagnéticas presentes no ambiente, acaba por induzir carga suficiente no metal 1 para destruir o óxido de gate do transistor a ele ligado. Pode-se eliminar esse problema ligando um diodo diretamente polarizado entre esse metal e o substrato para escoar a carga que venha a se acumular.

C) O efeito “Antenna” surge quando, em função do roteamento, duas áreas suficientemente grandes de metais 1 e 2 se sobrepõem, sendo que o metal 1 está ligado ao gate de um transistor. Nessa situação, o metal 2 atua como uma antena que, sob a ação de ondas eletromagnéticas presentes no ambiente, acaba por induzir carga suficiente no metal 1 para destruir o óxido de gate do transistor a ele ligado. Pode-se eliminar esse problema blindando a linha de metal 2, aterrando-a.

D) O efeito “Antenna” surge quando a área total do metal que conecta o gate de um transistor a outros pontos do circuito for excessiva. Nesses casos, tal metal atua como uma antena durante o processo de fabricação e acaba por acumular carga suficiente para destruir o óxido de gate desse transistor. Pode-se eliminar esse problema interrompendo linhas de metal muito extensas (fazendo uma conexão em outro nível de metalização), ou ligando-se um diodo reversamente polarizado entre esse metal e o substrato para escoar a carga que venha a se acumular.

E) O efeito “Antenna” surge quando a área total do metal que conecta o gate de um transistor a outros pontos do circuito for excessiva. Nesses casos, tal metal atua como uma antena durante o processo de fabricação e acaba por acumular carga suficiente para destruir o óxido de gate desse transistor. Pode-se eliminar esse problema interrompendo linhas de metal muito extensas (fazendo uma conexão em outro nível de metalização), ou ligando-se um diodo diretamente polarizado entre esse metal e o substrato para escoar a carga que venha a se acumular.

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