Questões de Engenharia Física do ano 2012

#Questão 426145 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A) Que entre a amostra e o analisador há uma diferença de potencial devido à diferença entre as suas funções-trabalho.

B) Ao iluminar o semicondutor com fótons de 21,2 eV, elétrons que saem do semicondutor com energia próxima de zero são detectados no analisador com energia cinética da ordem da diferença das energias de vácuo. O espectro medido é deslocado no sentido de energia cinética positiva.

C) Caso a função-trabalho do semicondutor fosse menor que a função-trabalho do analisador o espectro de fotoemissão do semicondutor medido pelo analisador seria truncado nas suas energias cinéticas baixas.

D) Que o sistema semicondutor-metal não se encontra em equilíbrio termodinâmico.

E) Que as energias de ligação dos níveis de caroço do semicondutor não dependem do analisador, pois são referenciadas ao máximo da banda de valência do semicondutor.

#Questão 426147 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 426149 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A) Espectroscopia eletrônica de perda de energia (EELS), topografia de raios X (XRT), espectroscopia de fotoemissão com ultravioleta (UPS), fluorescência de raios X (XRF), espectrometria de retroespalhamento Rutherford (RBS).

B) Microscopia eletrônica de varredura (SEM), catodolumiscência (CL), fotocondutividade (PC), topografia de raios X (XRT), espectroscopia de massa de íons secundários (SIMS).

C) Difração de elétrons lentos (LEED), eletroluminscência (EL), espectroscopia de fotoemissão com ultravioleta (UPS), topografia de raios X (XRT), espectrometria de retroespalhamento Rutherford (RBS).

D) Espectroscopia de elétrons Auger (AES), microsonda de elétrons (EMP), espectroscopia de fotoemissão com raios X (XPS), fluorescência de raios X (XRF), espectroscopia de massa de íons secundários (SIMS).

E) Corrente induzida por feixe de elétrons (EBIC), microsonda de elétrons (EMP), espectroscopia de fotoemissão com ultravioleta (UPS), difração de raios X (XRD), espectrometria de retroespalhamento Rutherford (RBS).

#Questão 426151 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 426152 - Engenharia Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Microscopias eletrônicas de varredura e transmissão são intensamente utilizadas na análise de falhas e estudo de confiabilidade na indústria de semicondutores e microeletrônica. As afirmativas seguintes sobre a microscopia eletrônica de transmissão são verdadeiras, EXCETO:

A) Um microscópio eletrônico de transmissão é similar a um microscópio óptico para luz visível, contendo um conjunto de lentes de magnificação para a formação da imagem.

B) A resolução em um microscópio de transmissão é muito mais alta que em um microscópio de transmissão porque não há o volume de interação na amostra.

C) O comprimento de onda de de Broglie dos elétrons do feixe é da ordem de 0,004 nm.

D) A preparação da amostra é o ponto fraco da microscopia eletrônica de transmissão, porque a amostra tem que ser afinada até ficar transparente aos elétrons.

E) O comprimento de onda de de Broglie dos elétrons do feixe é muito menor que a distância interatômica dos materiais, e devido a isso não ocorre difração dos elétrons mesmo em amostras cristalinas.

Questões de Engenharia Física do ano 2012

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