Questões de Engenharia Eletrônica da CESPE / CEBRASPE

Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.

Em um transistor bipolar do tipo NPN, a base é composta, geralmente, por material do tipo P. A concentração de lacunas na base é muito maior que a concentração de elétrons livres no emissor, maximizando a recombinação na base. Ainda para maximizar a recombinação na base, busca-se garantir que a base tenha a maior largura possível. Esse aumento da recombinação resulta no aumento do β (beta) do transistor, que é uma característica geralmente desejada em transistores bipolares.

Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.

Caso um transistor bipolar do tipo NPN funcione na região ativa, a junção base-emissor deverá ser polarizada diretamente e a coletor-base, reversamente.

Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.

Se um campo magnético uniforme e em sentido e direção únicos for aplicado a um material semicondutor do tipo P, no qual as lacunas se deslocam em uma direção perpendicular ao campo magnético, as lacunas sofrerão deflexão de módulo proporcional à intensidade do campo magnético e independente da velocidade das lacunas. Nessa situação, a deflexão ocorrerá na mesma direção do campo magnético.

Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.

Considere que a resistência de contato associada a determinado conector seja medida por meio de tensões de medição próximas de 0 volt. Nessa situação, se for observada uma relação quadrática entre a corrente e a tensão, então este é um contato ôhmico, em que a corrente é diretamente proporcional à área do contato entre os dois metais.

Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.

No caso de materiais isolantes, a banda de energia dos elétrons da camada de valência está separada da banda de energia da camada de condução por uma grande lacuna (gap) de energia, denominada banda proibida.