Questões de Engenharia Eletrônica da CESPE / CEBRASPE

Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.

À medida que ocorre a ionização térmica, ocorre a criação de elétrons e lacunas. Em um cristal de silício intrínseco, a concentração de elétrons livres por centímetro cúbico é diretamente proporcional ao quadrado da temperatura, enquanto a concentração de lacunas é inversamente proporcional à raiz quadrada da temperatura.

Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.

Um cristal de silício intrínseco possui uma estrutura com organização atômica regular em que os átomos são mantidos em suas posições por ligações covalentes, formadas por quatro elétrons de valência. Em temperaturas suficientemente baixas, todas as ligações covalentes permanecem completas, porém, à temperatura ambiente, algumas ligações covalentes são rompidas pela ionização térmica, bem como alguns elétrons são libertados.

Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.

A difusão e a deriva são os mecanismos responsáveis pela movimentação de lacunas e elétrons em um cristal de silício. A deriva está associada ao movimento aleatório dos elétrons e das lacunas, em decorrência da agitação térmica, e, por isso, a corrente de deriva é diretamente proporcional ao gradiente de concentração de portadores. Por outro lado, a corrente de difusão de elétrons ou de lacunas é diretamente proporcional à intensidade do campo elétrico.

Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.

Materiais cuja permeabilidade magnética (μr) corresponde a 1 são classificados como materiais magnéticos, ao passo que os materiais que não possuem essa permeabilidade são classificados como não magnéticos.

Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.

Considere que um multímetro que permite testar transistores bipolares esteja sendo usado no modo de medição de resistência para o teste de um transistor do tipo NPN. Nessa situação, caso a ponta de prova com maior potencial seja colocada na base do transistor e a de menor potencial, no emissor, a resistência medida será muito menor do que a resistência medida ao se colocar a ponta de prova com menor potencial na base e a de maior potencial, no emissor — assumindo-se que o transistor não esteja danificado.