Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2018

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.

Considere que todos os componentes do circuito precedente sejam ideais e que E₁ = 10 V, E₂ = 2 V, R₁ = R₂ = 4 kΩ, R ₃ = R₄ = 2 kΩ. Com relação a esse circuito, julgue os itens seguintes.

Considere que todos os componentes do circuito precedente sejam ideais e que E₁ = 10 V, E₂ = 2 V, R₁ = R₂ = 4 kΩ, R ₃ = R₄ = 2 kΩ. Com relação a esse circuito, julgue os itens seguintes.

No circuito anterior, em que todos os componentes são considerados ideais, as transformadas de Laplace das tensões de entrada e de saída do circuito, v_i(t) e v_o(t), respectivamente, são dadas por V_i(s) e V_o(s). Acerca desse circuito, julgue os próximos itens.

Considere que, no circuito precedente, que representa uma fonte de alimentação não regulada, os componentes sejam componentes típicos para esse tipo de fonte. Considere também que o valor do capacitor seja de 2.000 microfarads, que R_L=100 ohms e que a tensão RMS no secundário seja de 12 volts RMS.

Com relação a esse circuito, julgue os itens a seguir.