Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2002

1 - F/F tipo R/S; 2 - conversor D/A; 3 - contador binário; 4 - memórias com F/F tipo J/K; 5 – circuito E.

1 – circuito OU; 2 - conversor D/A; 3 - memórias com F/F tipo J/K; 4 - memória com F/F tipo D; 5 – somador

1 - circuito E; 2 – contador binário; 3 – conversor D/A; memória com F/F tipo D: 5 – comparador diferencial

1 – comparador diferencial; 2 - memória com F/F tipo D; 3 - contador binário; 4 – conversor D/A; 5 – circuito OU.

circuito OU – Exclusivo; 2 - contador binário;3 – multiplexador; 4 - memórias com F/F tipo J/K; 5 - conversor D/A.

tensão – série;

tensão – paralela;

corrente – paralela;

positiva;

corrente – série.

quando o MOS-FET conduzir, o diodo será polarizado inversamente e a fonte DC fornecerá energia para a carga e para o indutor. Quando o MOS-FET cortar, o diodo também não conduzirá e a energia armazenada no campo magnético do indutor produzirá uma alta tensão na carga;

quando o MOS-FET conduzir, o diodo será polarizado inversamente e a fonte DC fornecerá energia para a carga e para o indutor. Quando o MOS-FET cortar, o diodo conduzirá, e a energia armazenada no campo magnético do indutor será transferida para a carga

quando o MOS-FET conduzir, a corrente pulsante será filtrada, produzindo na carga uma tensão contínua, que será maior que a tensão de alimentação

quando o MOS-FET conduzir, a tensão VL (t) = L desenvolvida no indutor, que será de polaridade inversa à da tensão DC, fará o diodo conduzir, produzindo uma tensão negativa na carga, em relação ao ponto de aterramento;

quando o MOS-FET cortar, a tensão negativa armazenada no capacitor fará o diodo conduzir, produzindo uma oscilação no circuito LC, e a tensão na carga será maior que a de entrada

1 MHz

1,5 MHz

2,0 MHz

4,0 MHz

6,0 MHz