Questões sobre Princípios de Ciências dos Materiais

#Questão 420794 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, CESPE / CEBRASPE, 2012, INPI, Pesquisador em Propriedade Industrial

Recentes inovações no campo da optoeletrônica aplicada no desenvolvimento de dispositivos e equipamentos ópticos e de baixa potência têm sido empregadas na iluminação pública, na sinalização de trânsito e nas lâmpadas decorativas e residenciais. A respeito desse assunto, julgue os itens subsequentes.

Elementos como silício, gálio, arsênio e fósforo são adequados para a fabricação de LED, permitindo a irradiação da luz em diversas faixas de frequência.

C) Certo

E) Errado

#Questão 420795 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, CESPE / CEBRASPE, 2012, INPI, Pesquisador em Propriedade Industrial

Recentes inovações no campo da optoeletrônica aplicada no desenvolvimento de dispositivos e equipamentos ópticos e de baixa potência têm sido empregadas na iluminação pública, na sinalização de trânsito e nas lâmpadas decorativas e residenciais. A respeito desse assunto, julgue os itens subsequentes.

Em um LED (diodo emissor de luz) com polarização direta, os elétrons livres atravessam a junção e se combinam com as lacunas, mudando de um estado de maior energia para um de menor energia e irradiando luz.

C) Certo

E) Errado

#Questão 420796 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, CESPE / CEBRASPE, 2012, INPI, Analista de Gestão

#Questão 568361 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 568363 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quando se utiliza a deposição química a partir da fase vapor enriquecida por plasma (PECVD)?

A) Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas baixas, menores que 350ºC.

B) Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas altas, maiores que 900ºC.

C) Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas baixas, menores que 350ºC.

D) Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas altas, maiores que 900ºC.

E) Quando se necessita da difusão e deposição de dopantes e filmes em qualquer temperatura.

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