Questões sobre Eletrônica Analógica

Considere um estágio de saída de potência com ganho unitário, tensão do sinal de saída V_S = 5 V e nível médio de ruído na saída V_n = 0,5 V. Suponha que esse estágio de potência seja precedido por um estágio para pequenos sinais com ganho de 100 e que seja aplicada uma malha de realimentação com fator β unitário. Caso V_S e V_n permaneçam inalterados com a realimentação, verificar-se-á que a variação na relação sinal-ruído da tensão de saída do estágio de potência será de

Seja um estágio de saída classe B que fornece 40,5 W para uma carga de 9 Ω. Sabe-se que a tensão provida pela fonte de alimentação possui valor igual à tensão de pico de saída a fim de evitar a saturação dos transistores do circuito. Pode-se afirmar que o rendimento da conversão de potência e a potência máxima dissipada em cada transistor para operação segura são, respectivamente, iguais a (utilize π = 3 nos cálculos)

Considere a operação do software Virtuoso Schematic Composer a partir da visualização de uma célula padrão de alto nível. Para se visualizarem os níveis mais baixos da hierarquia do esquemático, o usuário deve selecionar as opções:

Considere a operação do software Virtuoso Layout Editor a partir da tela de edição de layouts propriamente dita. Deseja-se iniciar o desenho do layout de um inversor CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) pelo desenho de um transistor PMOS. Para tal, o usuário deve acessar a opção “Create” do menu, na qual estão disponíveis algumas opções, EXCETO:

Seja um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com contatos de tamanho unitário em um processo de 0,6 μm. Considere as características do transistor: capacitância de junção = 15 fF/μm²; coeficiente de gradação de junção = 0,5; distribuição periférica de capacitância = 5 fF/μm; coeficiente de gradação periférica de junção = 0,5 e potencial elétrico intrínseco à temperatura ambiente = 1 V. Assuma, ainda, que o substrato esteja aterrado e que a tensão de polarização no dreno seja V_DD = 8 V. A partir das informações apresentadas, pode-se afirmar que a capacitância parasita de difusão no dreno do transistor é igual a