Questões de Engenharia Elétrica

#Questão 413589 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quais são os mecanismos de crescimento de óxido de Si sobre substrato de Si no processo de oxidação térmica?

A) Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.

B) Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato.

C) Somente mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si.

D) Somente mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.

E) Mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.

#Questão 413591 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

O que é a técnica de fotolitografia?

A) É a técnica que faz a oxidação da camada do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.

B) É a técnica empregada para imprimir padrões geométricos e abrir janelas em camadas na superfície do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.

C) É a técnica que faz a difusão de dopantes no substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.

D) É a técnica que faz a implantação de dopantes no substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.

E) É a técnica que faz a limpeza do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.

#Questão 413592 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quais os principais dopantes usados para a obtenção de regiões dos tipos p e n em substratos de Si?

A) Do tipo p, boro, e do tipo n, arsênio e fósforo.

B) Do tipo p, gálio, e do tipo n, antimônio e índio.

C) Do tipo p, gálio e índio, e do tipo n, antimônio.

D) Do tipo p, fósforo, e do tipo n, boro e arsênio.

E) Do tipo p, arsênio e fósforo, e do tipo n, boro.

#Questão 413594 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Para o processo de corrosão química de um filme de SiO2 sobre o substrato de Si, qual solução deve ser usada?

A) Solução de ácido nítrico (HNO₃).

B) Solução básica de amoníaco (NH₄OH).

C) Solução de ácido fosfórico (H₃PO₄).

D) Solução de ácido fluorídrico (HF).

E) As soluções de ácido nítrico (HNO₃) e ácido fosfórico (H₃PO₄) podem ser usadas para a corrosão do SiO₂.

#Questão 413596 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Que filmes são depositados por LPCVD (deposição química a partir da fase vapor executada em baixa pressão)?

1 -W e SiO₂.

2 - SiO₂ e Si₃N₄.

3 - Si₃N₄ e silício policristalino.

4 - Si₃N₄, SiO₂ e silício policristalino.

A) Apenas 2 e 3.

B) Apenas 3 e 4.

C) Apenas 1, 2 e 3.

D) Apenas 2, 3 e 4.

E) 1, 2, 3, e 4.

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