Questões de Física do ano 2008

Julgue os itens subseqüentes, relacionados à remoção de camadas de metais, isolantes e semicondutores.

A litografia por feixe de íons focados e o ataque químico seco podem ser acoplados diretamente à câmara de crescimento do sistema de epitaxia por feixe molecular, a fim de reduzir a grande densidade de defeitos na interface durante um recrescimento convencional.

Julgue os itens subseqüentes, relacionados à remoção de camadas de metais, isolantes e semicondutores.

A técnica de remoção de camadas por fotolitografia consiste basicamente em: oxidação da superfície da amostra; aplicação de fotorresiste sobre a camada de óxido; colocação de máscara sobre o fotorresiste e exposição à luz ultravioleta; e remoção do fotorresiste exposto à luz ultravioleta.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

A mobilidade dos portadores pode ser determinada por medida Hall, em que o movimento dos portadores através da amostra é alterado pela força de Lorentz devido a um campo elétrico aplicado.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

O experimento de Haynes-Shockley é usado para determinar os parâmetros devido aos portadores minoritários, enquanto que o experimento de efeito Hall determina parâmetros devido aos portadores majoritários.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

As mobilidades dos portadores dependem fortemente de dois tipos de espalhamento que são influenciados pela temperatura. Em altas temperaturas, a mobilidade é limitada pelo espalhamento por impurezas, e em baixas temperaturas ela é limitada pelo espalhamento por fônons ópticos.