Questão Q480481
2008 Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE) Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer (CTI)
Física Geral
Prova: Concurso Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer (CTI) - Tecnologista Área Energia Solar com Foco em Energia Fotovoltaica (Pleno - Prova 2 - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE) do ano 2008 • Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer (CTI)

Julgue os itens subseqüentes, relacionados à remoção de c...

Julgue os itens subseqüentes, relacionados à remoção de camadas de metais, isolantes e semicondutores.

A litografia por feixe de íons focados e o ataque químico seco podem ser acoplados diretamente à câmara de crescimento do sistema de epitaxia por feixe molecular, a fim de reduzir a grande densidade de defeitos na interface durante um recrescimento convencional.

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