Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2012

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Listagem de Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2012

#Questão 424347 - Engenharia Eletrônica, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2012, PEFOCE/CE, Perito Criminal de 1.ª Classe – Área de Formação: Engenharia Eletrônica

Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.

Considere que um multímetro que permite testar transistores bipolares esteja sendo usado no modo de medição de resistência para o teste de um transistor do tipo NPN. Nessa situação, caso a ponta de prova com maior potencial seja colocada na base do transistor e a de menor potencial, no emissor, a resistência medida será muito menor do que a resistência medida ao se colocar a ponta de prova com menor potencial na base e a de maior potencial, no emissor — assumindo-se que o transistor não esteja danificado.

#Questão 424348 - Engenharia Eletrônica, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2012, PEFOCE/CE, Perito Criminal de 1.ª Classe – Área de Formação: Engenharia Eletrônica

Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.

Em um transistor bipolar do tipo NPN, a base é composta, geralmente, por material do tipo P. A concentração de lacunas na base é muito maior que a concentração de elétrons livres no emissor, maximizando a recombinação na base. Ainda para maximizar a recombinação na base, busca-se garantir que a base tenha a maior largura possível. Esse aumento da recombinação resulta no aumento do β (beta) do transistor, que é uma característica geralmente desejada em transistores bipolares.

#Questão 424349 - Engenharia Eletrônica, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2012, PEFOCE/CE, Perito Criminal de 1.ª Classe – Área de Formação: Engenharia Eletrônica

Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.

Caso um transistor bipolar do tipo NPN funcione na região ativa, a junção base-emissor deverá ser polarizada diretamente e a coletor-base, reversamente.

#Questão 424350 - Engenharia Eletrônica, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2012, PEFOCE/CE, Perito Criminal de 1.ª Classe – Área de Formação: Engenharia Eletrônica

Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.

Se um campo magnético uniforme e em sentido e direção únicos for aplicado a um material semicondutor do tipo P, no qual as lacunas se deslocam em uma direção perpendicular ao campo magnético, as lacunas sofrerão deflexão de módulo proporcional à intensidade do campo magnético e independente da velocidade das lacunas. Nessa situação, a deflexão ocorrerá na mesma direção do campo magnético.

#Questão 424351 - Engenharia Eletrônica, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2012, PEFOCE/CE, Perito Criminal de 1.ª Classe – Área de Formação: Engenharia Eletrônica

Com relação a materiais elétricos e magnéticos e a componentes implementados com esses materiais, julgue os itens de 55 a 64.

Considere que a resistência de contato associada a determinado conector seja medida por meio de tensões de medição próximas de 0 volt. Nessa situação, se for observada uma relação quadrática entre a corrente e a tensão, então este é um contato ôhmico, em que a corrente é diretamente proporcional à área do contato entre os dois metais.

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