Questões de Engenharia Eletrônica

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Nos transistores de uso geral do tipo NPN, a base, que deve ser fabricada com a maior largura possível, apresenta um grau de dopagem bem mais alto do que o coletor, característica essa importante por favorecer a minimização da recombinação dos portadores majoritários e minoritários na base.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como semicondutores do tipo P.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Para que o diodo semicondutor retificador contendo uma junção PN esteja em polarização reversa, é necessário que o potencial elétrico no catodo seja maior que o do anodo.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue os itens subsequentes. Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.