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Leia as afirmativas abaixo. I – A dopagem de um semicondutor com elementos da família V-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo P. II – A dopagem de semicondutores com elementos da família III-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo P. III – Em semicondutores do tipo N há maior concentração de elétrons livres que em um semicondutor intrínseco. Assinale a opção que apresenta a(s) afirmativa(s) correta(s).
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Leia atentamente as afirmativas abaixo: I – O modelo de Deal e Grove se aplica à oxidação do silício nos estágios iniciais. II – Pelo modelo de Deal e Grove, a oxidação ocorre após a difusão da espécie oxidante pelo óxido de silício até a interface do óxido de silício com o silício (interface Si/SiO2), em que ocorre a reação de oxidação do silício. III – O modelo de Deal e Grove aplica-se apenas à oxidação úmida. IV – O modelo de Deal e Grove se aplica ao crescimento de óxido de silício no silício para espessuras do óxido de silício, a partir de 300 ângstrons. Assinale a alternativa com as afirmativas corretas.
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Uma das etapas de fabricação de circuitos integrados é a dopagem de semicondutores. O coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 3.10-15 cm2/s à 950º C. A 850º C o coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 1,5.10-16 cm2/s. Sabendo-se que, a 950º C, o processo desejado é realizado em 30 minutos, quanto tempo durará o processo a 850º C, para que se obtenha o mesmo resultado.
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Leia as afirmativas abaixo acerca do processo de difusão. I – Quanto menor o coeficiente de difusão, maior a temperatura. II – De maneira geral, o coeficiente de difusão de átomos intersticiais é maior que o de átomos substitucionais. III – A taxa de difusão em regime estacionário é proporcional ao gradiente de concentração. Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira(s).
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Qual a técnica utilizada para medir a espessura e o índice de refração de filmes de óxido de Si, de nitreto de Si e de silício policristalino, usados na tecnologia CMOS?
