Leia atentamente as afirmativas abaixo acerca do nitreto de silício.

I – O oxigênio e o vapor d’água se difundem muito lentamente pelo nitreto de silício.

II – A oxidação do nitreto de silício é mais rápida que a oxidação do dióxido de silício.

III – A oxidação do silício deve ser realizada antes da deposição da camada de nitreto de silício, a fim de impedir a oxidação do nitreto de silício.

A alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira é (são)

Deposita-se a solução que contém o dopante no centro da lâmina de silício e, rapidamente, a mesma é colocada em alta rotação, de modo que a solução forme uma película homogênea sobre sua superfície. O processo de deposição ora descrito é conhecido como

Leia atentamente as afirmativas abaixo.

I – A difusividade no silicone monocristalino e policristalino é controlada pela difusão no interior do grão.

II – No polissilício, os grãos são pequenos e a difusão no interior dos grãos ocorre muito rapidamente.

III – No silício policristalino, a difusividade é controlada pela difusão nos contornos de grão.

Está(estão) correta(s) a(s) afirmativa(s)

Analise as afirmativas abaixo:

I – Durante os estágios iniciais da oxidação, a concentração de dopantes não tem influência na taxa de crescimento do óxido.

II – Em óxido com grande concentração de dopante, a taxa de crescimento durante o estágio da oxidação controlado por difusão depende fortemente da concentração de impurezas no óxido de silício (SiO2).

III – A migração de dopante para o óxido enfraquece as ligações no óxido, o que facilita a difusão de oxigênio (O2) e água (H2O), aumentando a taxa de crescimento do óxido.

A(s) afirmativa(s) correta(s) é (são)

Abaixo estão citadas diferentes técnicas de análise de materiais. Assinale a técnica que não pode ser utilizada para levantamento do perfil de dopagem em semicondutores.

Assinale a alternativa que apresenta as desvantagens da deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

A seguir, são apresentadas algumas vantagens de diferentes processos de deposição química a partir de vapor.

I – Reator simples.

II – Altas taxas de deposição.

III – Excelente pureza e uniformidade.

IV – Baixa temperatura.

Assinale a alternativa que apresenta a(s) vantagem(ns) da deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

As afirmativas abaixo se referem ao reator de deposição química a partir de vapor em baixa pressão. I – Na deposição química a partir de vapor em baixas temperaturas, é possível se posicionar os wafers na vertical, com espaçamento bastante reduzido entre eles, proporcionando o posicionamento de grande número de wafers no interior da câmara, o que compensa as baixas taxas de deposição em relação à deposição química, a partir de vapor à pressão atmosférica. II – Como os gases reagentes são consumidos ao entrarem em contato com os wafers, a concentração de gases reagentes próxima à entrada da mistura de gases é maior do que a concentração de gases reagentes próxima à saída dos gases. III - O estabelecimento de um gradiente de temperatura no interior da câmara, com o aumento da temperat... Ver mais

As alternativas abaixo se referem ao processo de deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

I – É um processo controlado pela taxa de reação.

II – A temperatura deve ser muito bem controlada e uniforme em todas as superfícies do wafer.

III – Um fluxo constante e uniforme de gases reagentes deve alcançar todas as superfícies do wafer.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).