Banca:
FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Qual das alternativas abaixo melhor ilustra as etapas básicas do fluxo de projeto analógico, em sua ordem cronológica, considerando a interdependência entre as etapas e as respectivas ferramentas de EDA utilizadas?
Banca:
FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Leia as afirmativas abaixo acerca da oxidação de silício. I – Para obtenção de uma mesma espessura de óxido a uma dada temperatura, a oxidação seca é um processo mais rápido que a oxidação úmida. II – A oxidação úmida é realizada pela técnica spin-on. III – A oxidação consome silício do substrato, de maneira que a espessura total após a oxidação não é igual à soma da espessura inicial da camada de silício com a espessura da camada de óxido. Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s)
Banca:
FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
O óxido depositado por spin-on, também conhecido como SOG, é amplamente utilizado porque I – apresenta propriedades dielétricas superiores ao dióxido de silício. II – pode ser obtido em baixas temperaturas. III – possui ótima aderência ao substrato de silício. Com relação às propriedades mencionadas acima, assinale a alternativa com a(s) propriedade(s) verdadeira(s) do SOG.
Banca:
FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Abaixo são relacionadas 3 (três) técnicas de dopagem. I – Dopagem por difusão. II – Dopagem in situ. III – Implantação iônica. Assinale a alternativa com a(s) técnica(s) utilizada(s) para a dopagem de polissilício.
Banca:
FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
As propriedades e a estrutura do polissilício dependem fortemente das condições de deposição. Assinale a alternativa que apresenta uma condição que NÃO influencia nas propriedades e na estrutura do polissilício depositado, considerando a técnica mais utilizada para a deposição de possilício.
Banca:
FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Considere as afirmativas abaixo. I – Para uma mesma concentração de dopante, o polissilício apresenta resistividade maior que o silício epitaxial. II – Em um polissilício dopado, os dopantes tendem a se difundir para o interior do grão, quando o silício dopado é aquecido. III – Os portadores se difundem rapidamente pelo contorno de grão. Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).
