Engenharia Elétrica
Ano: 2012
Banca: FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)
Sobre o silício (Si) utilizado na indústria de microeletrônica, qual das afirmativas abaixo está correta?
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
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Qual dos processos abaixo não está diretamente relacionado com as etapas de fabricação de um circuito integrado em um processo CMOS padrão moderno?
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
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Em um transistor PMOS de efeito de campo de um processo CMOS padrão,
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
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Para se projetar um pixel de memória flash, não volátil, com dimensões mínimas compatível com tecnologia CMOS é necessário
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
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No projeto de um circuito integrado analógico, frequentemente é necessária a inclusão de capacitores no chip. Em uma tecnologia CMOS padrão com 3 camadas de metal, 2 camadas de polisilício e poço n, qual dos capacitores abaixo tem sua capacitância mais sensível a variações de tensão?
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
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O método das quatro pontas é utilizado para
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
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Um circuito integrado CMOS arbitrário possui substrato do tipo p coberto com uma camada epitaxial do tipo p, e a possibilidade de poços n contidos dentro da camada epitaxial. Qual das afirmativas abaixo é falsa?
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
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Os níveis de tensão permitidos são menores em chips fabricados em processos CMOS padrão com rótulo menor, escalonados com campo constante. Dos fatores abaixo relacionados, qual influencia mais significativamente essa tendência?
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
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Com relação às portas utilizadas nos transistores de efeito de campo (MOSFETs) em tecnologias CMOS padrão de vanguarda, pode-se dizer que
10 Q413774
Engenharia Elétrica
Ano: 2012
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Circuitos integrados são fabricados em salas limpas, também denominadas salas brancas. Qual das afirmativas abaixo é incorreta?