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Q413807
Sobre o silício (Si) utilizado na indústria de microeletrônica, qual das afirmativas abaixo está correta?
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Q413787
Qual dos processos abaixo não está diretamente relacionado com as etapas de fabricação de um circuito integrado em um processo CMOS padrão moderno?
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Q413786
Em um transistor PMOS de efeito de campo de um processo CMOS padrão,
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Q413784
Para se projetar um pixel de memória flash, não volátil, com dimensões mínimas compatível com tecnologia CMOS é necessário
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Q413783
No projeto de um circuito integrado analógico, frequentemente é necessária a inclusão de capacitores no chip. Em uma tecnologia CMOS padrão com 3 camadas de metal, 2 camadas de polisilício e poço n, qual dos capacitores abaixo tem sua capacitância mais sensível a variações de tensão?
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Q413781
O método das quatro pontas é utilizado para
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Q413779
Um circuito integrado CMOS arbitrário possui substrato do tipo p coberto com uma camada epitaxial do tipo p, e a possibilidade de poços n contidos dentro da camada epitaxial. Qual das afirmativas abaixo é falsa?
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Q413778
Os níveis de tensão permitidos são menores em chips fabricados em processos CMOS padrão com rótulo menor, escalonados com campo constante. Dos fatores abaixo relacionados, qual influencia mais significativamente essa tendência?
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Q413776
Com relação às portas utilizadas nos transistores de efeito de campo (MOSFETs) em tecnologias CMOS padrão de vanguarda, pode-se dizer que
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Q413774
Circuitos integrados são fabricados em salas limpas, também denominadas salas brancas. Qual das afirmativas abaixo é incorreta?